[实用新型]一种氧化喷淋装置有效
申请号: | 201821606075.4 | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN208862006U | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 崔水炜;万肇勇;黄登强;吴章平 | 申请(专利权)人: | 苏州昊建自动化系统有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 朱静谦 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 喷淋腔体 喷淋装置 臭氧输送管路 排风口 排风罩 喷淋孔 流水线 本实用新型 臭氧输送管 二氧化硅膜 生产流水线 臭氧出口 电位诱导 封闭空间 排风风机 中空腔体 硅电池 喷淋腔 硅片 喷淋 衰减 臭氧 接通 电池 体内 | ||
本实用新型提供的一种氧化喷淋装置,包括:喷淋腔体,为设于电池流水线的中空腔体,所述喷淋腔体内具有臭氧输送管路,所述臭氧输送管路上具有若干臭氧出口,所述喷淋腔体朝向所述流水线具有均匀分布的喷淋孔;排风罩,对应所述喷淋腔体设置,与所述喷淋腔体共同组成封闭空间,所述排风罩设有排风口,所述排风口与排风风机接通。将氧化喷淋装置设于硅电池生产流水线上,臭氧通过臭氧输送管路充入喷淋腔体后通过喷淋孔均匀地喷淋在硅片上,从而形成均匀的二氧化硅膜,以此降低电位诱导衰减的作用。
技术领域
本实用新型涉及硅电池技术领域,具体涉及一种氧化喷淋装置。
背景技术
太阳能光伏电池(简称光伏电池)用于把太阳的光能直接转化为电能。目前地面光伏系统大量使用的是以硅为基底的硅太阳能电池,可分为单晶硅、多晶硅、非晶硅太阳能电池。在能量转换效率和使用寿命等综合性能方面,单晶硅和多晶硅电池优于非晶硅电池。多晶硅比单晶硅转换效率低,但价格更便宜。
但是现有的太阳能电池存在电位诱导衰减的问题,电位诱导衰减PID现象是指在高温多湿环境下,高电压流经太阳能电池单元便会导致输出功率下降的现象,是光伏电池所特有的现象。在过去的几十年里,由于系统偏压而引起组件功率大幅衰减,有的衰减甚至超过50%。PID与环境因素、组件材料以及逆变器阵列接地方式等有关。
实用新型内容
因此,为了克服现有技术中电池电位诱导衰减问题严重的问题,从而提供一种在能够生产具有氧化硅膜的太阳能电池,从而减轻电位诱导衰减问题的氧化喷淋装置。
本实用新型的设计方案如下:
一种氧化喷淋装置,包括:喷淋腔体,为设于电池流水线的中空腔体,所述喷淋腔体内具有臭氧输送管路,所述臭氧输送管路上具有若干臭氧出口,所述喷淋腔体朝向所述流水线具有均匀分布的喷淋孔;排风罩,对应所述喷淋腔体设置,与所述喷淋腔体共同组成封闭空间,所述排风罩设有排风口,所述排风口与排风风机接通。
优选的,所述喷淋腔体和所述排风罩为中空长方体,其长度方向沿所述流水线设置。
优选的,所述臭氧输送管路为两条。
优选的,各所述臭氧输送管路平行设置。
优选的,所述喷淋腔体具有风刀面板,所述喷淋孔均匀设于所述风刀面板,所述风刀面板高度可调。
优选的,所述喷淋腔体内沿厚度方向设有若干不同高度的格挡,所述风刀面板通过与不同高度的所述格挡卡接调节高度。
本实用新型技术方案,具有如下优点:
1、本实用新型提供的一种氧化喷淋装置,包括:喷淋腔体,为设于电池流水线的中空腔体,所述喷淋腔体内具有臭氧输送管路,所述臭氧输送管路上具有若干臭氧出口,所述喷淋腔体朝向所述流水线具有均匀分布的喷淋孔;排风罩,对应所述喷淋腔体设置,与所述喷淋腔体共同组成封闭空间,所述排风罩设有排风口,所述排风口与排风风机接通。将氧化喷淋装置设于硅电池生产流水线上,臭氧通过臭氧输送管路充入喷淋腔体后通过喷淋孔均匀地喷淋在硅片上,从而形成均匀的二氧化硅膜,以此降低电位诱导衰减的作用。
2、本实用新型提供的一种氧化喷淋装置,所述喷淋腔体和所述排风罩为中空长方体,其长度方向沿所述流水线设置,使形状和方向与硅片相一致,所述臭氧输送管路为两条,各所述臭氧输送管路平行设置,使臭氧在所述喷淋腔体内均匀分布,以便在喷淋时在硅片表面均匀反应。
3、本实用新型提供的一种氧化喷淋装置,所述喷淋腔体具有风刀面板,所述喷淋孔均匀设于所述风刀面板,所述风刀面板高度可调。从而可以适用于喷淋不同规格的硅片。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州昊建自动化系统有限公司,未经苏州昊建自动化系统有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821606075.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的