[实用新型]一种太阳能外延结构及太阳能电池有效
| 申请号： | 201821608570.9 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN208781857U | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 罗轶 | 申请（专利权）人： | 东泰高科装备科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;周放 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 外延结构 发射层 太阳能 空穴 光电转化效率 本实用新型 光吸收效率 载流子复合 传输路程 电池结构 生长 窗口层 接触层 外延层 减小 反射 基层 电池 传输 | ||
1.一种太阳能外延结构，其特征在于，所述太阳能外延结构包括依次重叠设置的背场层、基层、发射层、窗口层和接触层，所述基层和所述发射层分别包括至少一个V型槽，所述基层的V型槽的开口朝向所述发射层，所述发射层的V型槽的开口方向朝向所述窗口层。
2.根据权利要求1所述的太阳能外延结构，其特征在于，所述基层、所述发射层的V型槽相互重叠。
3.根据权利要求2所述的太阳能外延结构，其特征在于，所述窗口层还包括至少一个所述V型槽。
4.根据权利要求3所述的太阳能外延结构，其特征在于，所述窗口层的V型槽与所述基层和所述发射层的V型槽相互重叠。
5.根据权利要求4所述的太阳能外延结构，其特征在于，所述接触层还包括至少一个所述V型槽。
6.根据权利要求5所述的太阳能外延结构，其特征在于，所述接触层的V型槽与所述基层、所述发射层和所述窗口层的V型槽相互重叠。
7.根据权利要求1-6任一项所述的太阳能外延结构，其特征在于，所述基层的V型槽开口的尺寸为0-1μm，V型槽的深度为0-3μm。
8.根据权利要求1所述的太阳能外延结构，其特征在于，所述背场层上生长有至少一条穿透所述背场层的位错，所述基层的V型槽的顶点与穿透所述背场层的位错相对应。
9.根据权利要求8所述的太阳能外延结构，其特征在于，所述太阳能外延结构还包括衬底，所述衬底设置在所述背场层远离基层的一侧。
10.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括太阳能外延结构、正面电极、减反射膜和背面电极，所述背面电极设置在背场层上远离基层的一侧，所述减反射膜设置在接触层远离窗口层的一侧，所述正面电极设置在减反射膜远离接触层一侧，所述太阳能外延结构如权利要求1-9任一项所述。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
