[实用新型]一种SE-PERC单晶硅太阳能电池

说明书

本实用新型公开了一种SE‑PERC单晶硅太阳能电池，包括SE‑PERC单晶硅太阳能电池本体，SE‑PERC单晶硅太阳能电池本体的正面具有相互垂直的主栅线槽和副栅线槽，在SE‑PERC单晶硅太阳能电池本体的两端开设有缺口状的镂空槽，镂空槽截断位于最外侧的2～6条副栅线槽，且镂空槽处于主栅线槽的位置上。太阳能电池上的主栅线与焊接点为焊带在电池片上的焊接区域，为了降低组件端层压时的碎片风险，在现有技术中，最外侧的2～6条副栅线不与焊带焊接，本实用新型在电池片的两端设置镂空槽，镂空槽截断位于最外侧的2～6条副栅线槽，且镂空槽处于主栅线槽的位置上，能够改善电池片外观，节省银浆的损耗量，降低生产成本。

技术领域

本实用新型涉及一种SE-PERC单晶硅太阳能电池。

背景技术

太阳能电池的发展方向是低成本、高效率，选择性发射极技术(selectiveemitter，SE)是晶硅太阳电池生产工艺中有望实现高效率的方法之一。SE太阳能电池是指在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样的结构既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合，提高了少子寿命，使得短路电流、开路电压和填充因子都能得到较好的改善，从而提高转换效率。

高效PERC电池片制造中引入选择性发射极技术，采用激光掺杂技术形成选择性PN结，SE技术与PERC技术完美结合，增强了电池对太阳光中紫外光和红外光的吸收，可提升约0.3％电池的光电转换效率。降低扩散薄层的横向电流损失是提升电池光电转换效率的必要条件。增加主栅及副栅数量可以减少扩散薄层光生电荷的传输距离，进而可以降低横向电流损失。而激光刻蚀主栅线槽和副栅线槽虽能降低金属栅线和硅片的接触电阻，但亦会造成硅片表面损伤，形成复合中心，且副栅外四根之间的区域的激光刻蚀亦不符合降本提效的原则。

因此，如何在不增加生产成本的前提下权衡以上矛盾从而进一步提升电池光电转换效率在SE-PERC单晶硅电池生产中显得尤为关键。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种结构简单、可改善电池片外观、降低生产成本的SE-PERC单晶硅太阳能电池。

本实用新型的目的通过如下的技术方案来实现：一种SE-PERC单晶硅太阳能电池，包括SE-PERC单晶硅太阳能电池本体，所述SE-PERC单晶硅太阳能电池本体的正面具有相互垂直的主栅线槽和副栅线槽，在所述主栅线槽上印刷有主栅线，在所述副栅线槽上印刷有副栅线，其特征在于：在所述SE-PERC单晶硅太阳能电池本体的两端开设有缺口状的镂空槽，所述镂空槽截断位于最外侧的2～6条副栅线槽，且所述镂空槽处于主栅线槽的位置上。

太阳能电池上的主栅线与焊接点为焊带在电池片上的焊接区域，为了降低组件端层压时的碎片风险，在现有技术中，最外侧的2～6条副栅线不与焊带焊接，本实用新型在电池片的两端设置镂空槽，镂空槽截断位于最外侧的2～6条副栅线槽，且镂空槽处于主栅线槽的位置上，能够改善电池片外观，节省银浆的损耗量，降低生产成本。

作为本实用新型的一种改进，所述主栅线槽为12条，所述副栅线槽为110条，所述主栅线槽、副栅线槽和镂空槽采用激光一体刻蚀而成。本实用新型将主栅线槽增加至12条，减少主栅线的间距，缩短光生电荷的传输距离，进而减小扩散薄层的横向电流损失，可极大地改善光生电荷的收集效率，综合考虑了激光刻槽导致的表面损伤复合及SE重掺杂优势，因此，本实用新型在不增加生产成本的前提下，大大提升了电池的光电转换效率。本实用新型采用12BB(12根主栅)激光图形设计，主栅线槽、副栅线槽和镂空槽一体刻蚀而成，可以极大地降低电池片的串联电阻，获得较大填充，提高光生电荷的收集效率，有利于太阳能电池片电性能的改善。

作为本实用新型的一种实施方式，激光光斑为120μm的正方形，激光能量为26～29W。

作为本实用新型的一种优选实施方式，所述主栅线槽和副栅线槽分别均匀排布。