[实用新型]一种穿通结构的可控硅芯片有效
| 申请号： | 201821610686.6 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN208706655U | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 周明 | 申请（专利权）人： | 江苏明芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/744;H01L21/332 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 226600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 穿通 隔离区 腐蚀 芯片正面 可控硅芯片 芯片反面 扩散区 硅片 半导体器件 本实用新型 技术结构 扩散 | ||
【权利要求书】：
1.一种穿通结构的可控硅芯片，包括设置在N-型硅片的正反两面的P2扩散区和P1扩散区，在芯片的四周环绕设置穿通隔离区，在朝向芯片正面和反面的穿通隔离区的外缘分别设有正面腐蚀沟槽和反面腐蚀沟槽；在朝向芯片正面的P2扩散区表面分别设有N+扩散区和P2门极电极，在穿通隔离区内侧、且在P2门极电极和N+阴极电极的外侧的芯片正面设置环形钝化沟槽；在芯片反面的P1扩散区和穿通隔离区的表面分别设置阳极电极；在N+扩散区的外表面设置N+阴极电极；在芯片正面的P2扩散区和穿通隔离区的表面分别设置SiO2保护区；其特征在于：所述正面腐蚀沟槽的宽度小于反面腐蚀沟槽的宽度；所述朝向芯片正面的穿通隔离区的表面宽度小于朝向芯片反面的穿通隔离区的表面宽度。
2.根据权利要求1所述穿通结构的可控硅芯片，其特征在于所述正面腐蚀沟槽宽度为10～30μm，所述反面腐蚀沟槽宽度为25～60μm。
3.根据权利要求2所述穿通结构的可控硅芯片，其特征在于，所述正面腐蚀沟槽的深度为10～15μm，所述反面腐蚀沟槽的深度为10～15μm。
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