[实用新型]欧姆接触性能优化的光子晶体LED芯片

权利要求书

1.一种欧姆接触性能优化的光子晶体LED芯片，其特征在于：主体为发光单元，包括金属反射电极、透明电流扩展层、P型掺杂GaN层、P型掺杂AlGaN层、量子阱层、N型掺杂GaN层、非故意掺杂GaN层、GaN缓冲层和蓝宝石衬底，所述金属反射电极包括正电极和负电极，所述蓝宝石衬底与GaN缓冲层接触连接，所述GaN缓冲层与非故意掺杂GaN层接触连接，所述非故意掺杂GaN层与N型掺杂GaN层接触连接，所述N型掺杂GaN层与量子阱层接触连接，所述量子阱层与P型掺杂AlGaN层接触连接，所述P型掺杂AlGaN层与P型掺杂GaN层接触连接，所述P型掺杂GaN层与透明电流扩展层接触连接，所述透明电流扩展层与正电极接触连接，所述N型掺杂GaN层还与负电极接触连接。

2.根据权利要求1所述的一种欧姆接触性能优化的光子晶体LED芯片，其特征在于：所述光子晶体LED芯片为倒装结构，所述发光单元呈圆台形状，圆台直径为120～220μm，分布有有源区光子晶体。

3.根据权利要求1所述的一种欧姆接触性能优化的光子晶体LED芯片，其特征在于：所述正电极呈圆盘状，设置在透明电流扩展层和有源区光子晶体上，所述透明电流扩展层包括欧姆接触层和电流横向扩散层。

4.根据权利要求1所述的一种欧姆接触性能优化的光子晶体LED芯片，其特征在于：所述负电极与N型掺杂GaN层的接触面上分布有接触面光子晶体，在无金属电极区域的N型掺杂GaN层上分布有无金属电极区域光子晶体和介质DBR，所述无金属电极区域光子晶体与介质DBR接触连接。

5.根据权利要求1所述的一种欧姆接触性能优化的光子晶体LED芯片，其特征在于：所述有源区光子晶体、接触面光子晶体和无金属电极区域光子晶体的直径均为300～1000nm，所述有源区光子晶体材料为半导体材料中镶嵌着介质材料，深度为透明电流扩展层延伸至超过量子阱层深度50nm以上；所述半导体材料包含透明电流扩展层、P型掺杂GaN层、P型掺杂AlGaN层、量子阱层、N型掺杂GaN层；所述无金属电极区域光子晶体一部分覆盖金属负电极，另一部分覆盖介质DBR，深度为200～1500nm。

6.根据权利要求1所述的一种欧姆接触性能优化的光子晶体LED芯片，其特征在于：所述负电极围绕着圆台分布，最窄处的宽度大于10μm；所述正电极和负电极上均分布有介质DBR，所述介质DBR在正电极处设有一个开槽，尺寸≥160×100μm²，在负电极处设有两个开槽，尺寸≥100×100μm²，三个开槽形成负电极-正电极-负电极的GSG结构，用于高频信号传输测试。