[实用新型]一种慢提拉红外干燥系统有效

专利信息
申请号: 201821613680.4 申请日: 2018-09-30
公开(公告)号: CN208846832U 公开(公告)日: 2019-05-10
发明(设计)人: 卡尔·罗伯特·休斯特 申请(专利权)人: 硅密(常州)电子设备有限公司
主分类号: F26B3/30 分类号: F26B3/30;F26B5/00;F26B25/02;H01L21/67
代理公司: 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 代理人: 张军
地址: 213031 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 晶元 红外干燥装置 提拉装置 提拉 红外干燥系统 本实用新型 红外加热管 花篮 抬升支架 抬升装置 承载 干燥箱 气缸推动装置 红外线波长 箱盖下表面 干燥效率 可拆卸的 上下活动 使用寿命 脱水效果 箱体顶端 可活动 红外线 出水 箱盖 脱水 生产成本 吸收
【说明书】:

实用新型公开了一种慢提拉红外干燥系统,包括慢提拉装置和红外干燥装置,所述慢提拉装置包括可上下活动的抬升装置,所述抬升装置包括水平的抬升支架,所述抬升支架上方设有可拆卸的承载花篮,所述红外干燥装置包括干燥箱,所述干燥箱包括箱体和可活动设于箱体顶端的箱盖,所述箱盖下表面固定有至少一根红外加热管,所述红外加热管发出的红外线波长范围为1000‑5000nm。本实用新型采用慢提拉装置和红外干燥装置相结合,显著减少了晶元承载花篮对红外线的吸收,从而有效延长了晶元承载花篮的使用寿命,在一定程度上降低了晶元的生产成本;采用气缸推动装置,使晶元在慢提拉脱水的同时实现倾斜出水,有效增强了晶元的脱水效果,进一步提升晶元干燥效率。

技术领域

本实用新型涉及半导体晶元清洗技术领域,尤其涉及一种慢提拉红外干燥系统。

背景技术

晶元表面存在的杂质往往会影响产品的质量及转换效率,因此在晶元的制造过程中,通常需要采用各种化学液和纯水进行多次清洗,之后利用纯水进行最终清洗,以去除晶元表面残留的化学液及杂质,最后再依次经过干燥工艺,得到清洗干净、表面干燥的晶元。

现有的干燥工艺通常分为离心甩干法、IPA干燥法、慢提拉脱水干燥法等方式。传统的离心甩干法是利用晶元旋转时产生的离心力使水被甩离晶元表面,达到脱水干燥的目的,然而采用该方式容易产生静电、增加晶元表面的颗粒度,因此存在晶元表面二次污染的风险;IPA干燥法则是利用IPA(异丙醇)的低表面张力和易挥发的特性,取代晶元表面的具有较高表面张力的水分,然后用热氮气吹干,达到彻底干燥晶元表面的目的,然而采用该干燥工艺,也存在异丙醇导致的二次污染的问题,且采用该工艺的成本较高;慢提拉脱水干燥法则首先使用抬升装置将晶元从热纯水中缓慢抬升进行预脱水,由于水的表面张力作用,晶元表面的水分子不断从上往下拉,从而带走晶元表面大部分的水分及清洗后残余的少许杂质,又因为热水张力小于冷水,采用热水进行慢提拉脱水后的晶元表面几乎不会有残留水滴,之后通过热氮气带走晶元表面残留的水分或者将晶元置于烘箱内加热干燥,以达到彻底干燥的目的。由于采用慢提拉脱水干燥法不仅成本相对较低,二次污染风险小,而且可以进一步去除经过清洗工艺后残留在晶元表面的微量杂质,因此使用该工艺方法在晶元干燥方面的实际应用中最为普遍。

在慢提拉脱水干燥过程中,若仅仅采用热氮气或者普通烘箱对晶元进行干燥,其对干燥速度的提高程度依然相对有限,因此为了更进一步地提高干燥效率,一些现有的干燥烘箱采用红外线加热方式,当红外线的发射频率和晶元中分子运动的固有频率相匹配时,引起晶元中的分子强烈振动,在晶元的内部发生激烈摩擦产生热而达到干燥的目的,同时由于晶元内部水分的湿扩散与热扩散方向一致,其干燥过程得到加速,因此晶元的干燥效率得以大幅提升。

然而,虽然上述采用红外加热的方式能够有效提升干燥速率,但由于红外线的波长范围很宽,其中带有大量的热能,而现有的用于承载晶元的承载花篮通常采用PP、PFA等树脂材料制成,即使这些树脂材料具有较好的耐高温、耐腐蚀等性能,在反复多次经受大量的红外热辐射后,也不可避免的会加速发生变形及老化,从而导致其使用寿命缩减,晶元的生产成本因此而升高。

实用新型内容

针对上述存在的技术问题,本实用新型的目的是提供一种慢提拉红外干燥系统,对现有的慢提拉脱水干燥装置进行改进,以延长晶元承载花篮的使用寿命,降低晶元生产成本,并进一步提高其干燥效率。

本实用新型所采用的技术方案如下:一种慢提拉红外干燥系统,包括慢提拉装置和红外干燥装置,所述慢提拉装置包括可上下活动的抬升装置,所述抬升装置包括水平的抬升支架,所述抬升支架上方设有可拆卸的承载花篮;所述红外干燥装置包括干燥箱,所述干燥箱包括箱体和可活动设于箱体顶端的箱盖,所述箱盖下表面固定有至少一根红外加热管,所述红外加热管发出的红外线波长范围为1000-5000nm。

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