[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

初始器件，所述初始器件包括焊盘，所述焊盘位于所述初始器件的表面，所述焊盘包括焊盘本体；

位于所述焊盘周围的初始器件上、以及部分焊盘上的钝化结构层，所述钝化结构层中具有凹槽，所述凹槽的底部暴露出所述焊盘本体；

位于所述钝化结构层上的感光保护层，所述感光保护层覆盖所述凹槽的侧壁，所述感光保护层中具有位于所述焊盘本体上的感光开口，所述感光开口延伸至所述凹槽中，且所述感光开口的口径小于所述凹槽的口径。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述感光保护层包括聚酰亚胺感光层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述钝化结构层包括第一钝化层和位于所述第一钝化层上的第二钝化层，所述第一钝化层位于所述焊盘周围的初始器件上、以及部分所述焊盘上。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一钝化层包括氧化硅钝化层。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二钝化层包括氮化硅钝化层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘本体包括铝焊盘。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘还包括位于焊盘本体的部分顶部表面的焊盘保护层，所述焊盘保护层中具有焊盘开口，所述焊盘开口位于所述感光开口的底部，且所述感光开口的侧壁与所述焊盘开口的侧壁对齐。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘保护层包括氮化钛保护层。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽的底部口径大于所述焊盘开口的口径；对于所述焊盘保护层突出于所述凹槽侧壁的部分，所述焊盘保护层的顶部表面被所述感光保护层覆盖。

10.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽的底部口径小于所述凹槽的顶部口径；所述凹槽的底部侧壁分别与所述感光开口的侧壁以及所述焊盘开口的侧壁对齐。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述初始器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交错层叠的绝缘层和导电层，所述堆叠结构的顶层和底层均为绝缘层；贯穿所述堆叠结构的沟道结构；位于所述沟道结构和堆叠结构上的介质层；所述焊盘位于介质层的表面；所述焊盘与所述沟道结构电学连接。