[实用新型]a-Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板及背光模组

说明书

本实用新型适用于显示技术领域，提供了一种a‑Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板和背光模组，光源板的发光单元包括发光元件以及驱动发光元件的驱动薄膜晶体管，驱动薄膜晶体管的第一源极的一部分和第一漏极的一部分呈梳齿状交错分布，另一部分呈螺旋状交错分布，所述第一有源层对应所述第一源极和第一漏极之间形成沟道，所述沟道一部分呈螺旋状，另一部分呈方波状，以增加沟道的宽度。本实用新型通过第一源极和第一漏极之间以螺旋状和梳齿状进行交错分布，第一有源层对应形成螺旋状和梳齿状的沟道，能够提高沟道的宽长比，提高其驱动能力，允许更大的驱动电流通过用于驱动发光元件发光，满足作为背光使用的驱动电流的要求。

技术领域

本实用新型属于显示技术领域，特别涉及一种a-Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板及背光模组。

背景技术

目前，TFT(Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)主要应用于驱动每一颗像素，例如液晶显示阵列、有机发光二极管显示阵列等。根据使用的半导体材料的不同，目前主流的TFT可以区分为a-Si(Amorphous Silicon,非晶硅)、IGZO(Indium Gallium ZincOxide,铟镓锌氧化物)和LTPS(Low Temperature Poly-silicon,低温多晶硅)三大类。a-Si材料质量低，载流子迁移率小，因此 a-Si TFT能够承受的电流密度小，而IGZO和LTPS中的载流子迁移率大，能够承受较大的电流密度。

对于单颗TFT，在特定的电流密度下，其所能够通过的最大电流正比于其沟道宽度与长度的比值(宽长比)。而为了限制TFT的漏电流，确保器件稳定，TFT的沟道长度必须大于一定的数值。

目前的LCD阵列、OLED阵列具有较高的分辨率，因此相邻两个像素之间的间距(Pitch)都比较小，大约在0.1mm至1mm之间，如图1和2所示。对于电流驱动元件如有机发光二极管001(图1)，TFT 002所占据的面积通常在像素总面积中占比较大，通过增加面积进一步增加电流密度的空间不大。在另一种情况下，对于液晶显示应用，液晶(开口区域)003所占据面积必须达到一定比例(图2)，因此TFT 002’所占的面积有限。因此，在这些传统的应用中，TFT的面积都不能够很大，当需要较大电流的时候，只能使用迁移率更高的材料如IGZO或者LTPS的TFT来获取更大的电流密度。

Mini-LED(迷你发光二极管)背光技术是近年来涌现的新型显示技术之一，具有动态分辨率高、省电、算法简单等优点。目前常见的Mini-LED背光技术采用PCB(PrintedCircuit Board,印制电路板)背板上焊接集成电路的驱动方式，造成PCB设计难度大、焊接次数多以及生产成本高的问题，而在OLED领域应用较多的TFT驱动技术则较少被应用于Mini-LED背光显示当中。造成这一现象的主要原因是背光LED需要的电流密度通常比较大(mA级别)，传统的a-Si TFT难以满足其电流密度的需求，而LTPS等新技术的成本较高。

在背光Mini-LED阵列中，Pitch的尺寸通常能够达到10-100mm，远大于 TFT的传统应用场景。在这一情况下，Pitch中有大量的可利用面积，因此，即使用a-Si作为TFT材料，也很有可能利用该大量的面积来得到具有较大的驱动电流的TFT。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种a-Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板，旨在将传统的a-Si TFT应用于LED中以满足作为背光模组使用的驱动电流要求的技术问题。

本实用新型是这样实现的，一种光源板，包括设置于基板上的多个发光单元；每一所述发光单元包括发光元件以及驱动所述发光元件的驱动薄膜晶体管；