[实用新型]掩膜板、电容器阵列和半导体器件

权利要求书

1.一种掩膜板，其特征在于，用于制作电容器阵列，所述掩膜板具有第一网格图案和环绕在所述第一网格图案周围的第一环形图案，所述第一网格图案由沿第一方向延伸的第一线条和沿第二方向延伸的第二线条交织而成，所述第一网格图案中的每个第一网格定义一个电容器的位置，所述第一环形图案包括紧挨并围绕在所述第一网格图案周围的环形沟道以及围绕在所述环形沟道远离所述第一网格图案一侧的外围图案，所述外围图案用于遮蔽所述环形沟道外围的区域。

2.如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一线条和所述第二线条在所述第一网格图案的部分或所有的边界处交织形成不完全封闭的第一缺口，所述第一缺口与所述环形沟道连通。

3.如权利要求1或2所述的掩膜板，其特征在于，所述第一方向和所述第二方向的夹角大于0度且小于90度，且所述第一线条或所述第二线条与所述外围图案的相应边界平行。

4.一种电容器阵列，其特征在于，包括：

衬底；

下电极层，设置在所述衬底上，且具有呈阵列排布的多个筒状结构；

横向支撑层，所述横向支撑层具有围绕在各个所述筒状结构外壁上并连接相邻的所述筒状结构的第一部分，所述横向支撑层的所述第一部分位于所述筒状结构的阵列外围的所有的边界外侧壁中的部分或全部为波浪形侧壁；所述下电极层覆盖在所述第一部分的外侧壁上的部分形成下电极墙体，所述下电极墙体具有平整的外侧壁的波浪形的内侧壁；

电容介质层，覆盖在所述下电极层的内外表面上；

上电极层，覆盖于所述电容介质层的表面上；以及，

上电极填充层；覆盖在所述上电极层的表面上并填满所述上电极层中的间隙，所述上电极填充层具有平整的外侧壁。

5.如权利要求4所述的电容器阵列，其特征在于，所述横向支撑层还具有围绕在所述筒状结构的阵列外围的第二部分，所述第二部分和所述第一部分之间为暴露出所述衬底表面的环形沟槽，所述第一部分面向所述第二部分的侧壁为所述第一部分的外侧壁，所述第一部分的所有的外侧壁中的部分或全部为波浪形侧壁，所述下电极层覆盖在所述第一部分的外侧壁上并延伸覆盖在所述环形沟槽的部分底壁上。

6.如权利要求5所述的电容器阵列，其特征在于，还包括上电极覆盖层，所述上电极覆盖层覆盖在所述上电极填充层的表面上，所述上电极覆盖层、上电极填充层、上电极层以及电容介质层均延伸覆盖在部分所述环形沟槽的底壁上，并暴露出所述环形沟槽外围的所述第二部分。

7.如权利要求6所述的电容器阵列，其特征在于，还包括层间介质层以及多个导电接触插塞，所述层间介质层覆盖在所述上电极覆盖层以及所述第二部分上，多个所述导电接触插塞均形成于所述层间介质层中，其中一所述导电接触插塞与所述上电极填充层电接触，另一所述导电接触插塞与所述电容器阵列外围的衬底中的导电结构电接触。

8.如权利要求4所述的电容器阵列，其特征在于，所述横向支撑层的所述第一部分包括一顶层支撑层、至少一层中间支撑层及一底层支撑层，所述顶层支撑层位于所述筒状结构的顶部外围，所述中间支撑层位于所述筒状结构的中间部位，所述底层支撑层位于所述筒状结构的底部外围。

9.如权利要求5至7中任一项所述的电容器阵列，其特征在于，各个所述筒状结构的底部的衬底中形成有电容接触节点，所述环形沟槽底部的衬底中形成有环形导电接触带，所述下电极层分别与所述电容接触节点和所述环形导电接触带电性接触。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括如权利要求4至9中任一项所述的电容器阵列。