[实用新型]大角度翻转晶圆浸泡装置有效
申请号: | 201821643507.9 | 申请日: | 2018-10-10 |
公开(公告)号: | CN208738193U | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 刘迟;孙俊主 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 白振宇 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 片盒 储液槽 晶圆 角度翻转 升降连杆 本实用新型 电动执行器 输出端相连 浸泡装置 倾斜连杆 倾斜气缸 机械手 升降架 铰接 内嵌 浸泡 底板 浸泡晶片 湿法处理 中间连杆 化学液 槽壁 多片 放入 晶片 送入 安全 | ||
本实用新型涉及一种大角度翻转晶圆浸泡装置,储液槽及电动执行器分别安装在底板上,片盒位于储液槽内,储液槽内的下部盛有浸泡晶片的化学液,上部的槽壁上开有供机械手将晶片送入片盒中的传片窗口;升降连杆的一端通过升降架与电动执行器的输出端相连,另一端插入储液槽内、与片盒铰接;倾斜气缸安装在升降架上,倾斜连杆内嵌于升降连杆中,一端与倾斜气缸的输出端相连,另一端通过中间连杆组件与片盒铰接。本实用新型通过机械手将晶圆放入储液槽内的片盒中,可同时浸泡多片晶圆;倾斜连杆内嵌于升降连杆中,运动平稳,片盒可实现大角度翻转,实现了在湿法处理过程中对晶圆浸泡更高效及更安全的要求。
技术领域
本实用新型属于半导体行业晶圆湿法处理领域,具体地说是一种大角度翻转晶圆浸泡装置。
背景技术
目前,对于半导体行业中晶片湿法处理工艺经常需要使用化学液对晶圆进行浸泡处理;而现有的晶圆浸泡方式一般是采用整盒晶圆同时放入化学液槽中浸泡,到达预定时间后再整盒取出进行下一步的工艺处理。但在下一步的工艺处理时会出现每一片晶圆依次处理的情况,这样就造成了整盒晶圆每一片等待的时间都不同,可能会影响最终芯片的质量。所以如何实现每一片晶圆浸泡时间的均一性是一个不可避免的问题。
于2014年5月21日公开的、公开号为CN103811374A的实用新型专利“一种晶圆浸泡装置”,满足了晶圆浸泡的需求。但该装置中升降连杆与倾斜连杆是并排设置的,两者设计时可采用平行设计,但实际中由于上盖的上表面加工误差,导致两个孔轴线加工不平行,或者两个孔轴线不在单元的中心面,致使装配后的两个连杆的轴线不平行,进而造成运动阻塞,工作不顺畅,使装置卡顿。其次,该装置中的片盒只能向后翻转25°,升降中晶圆受到振荡容易滑出。再有,该装置采用桶壁间接加热的方式,加热片包裹在储液槽的侧壁上,加热片的热量通过热传导的方式传递给化学液,进而使化学液升温,这种加热方式的加热速率慢。
实用新型内容
为了解决现有浸泡设备存在的上述问题,本实用新型的目的在于提供一种大角度翻转晶圆浸泡装置。
本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:
本实用新型包括片盒、储液槽、底板、电动执行器、倾斜连杆、倾斜气缸、升降连杆及传片窗口,该储液槽及电动执行器分别安装在底板上,片盒位于储液槽内,所述储液槽内的下部盛有浸泡晶片的化学液,上部的槽壁上开有供机械手将晶片送入片盒中的传片窗口;所述升降连杆的一端通过升降架与电动执行器的输出端相连,另一端插入所述储液槽内、与所述片盒铰接;所述倾斜气缸安装在升降架上,所述倾斜连杆内嵌于升降连杆中,一端与该倾斜气缸的输出端相连,另一端通过中间连杆组件与所述片盒铰接;所述电动执行器通过升降架带动升降连杆、倾斜气缸及倾斜连杆同步升降,进而带动所述片盒上升到与所述传片窗口相对应的高度取/放晶圆,或使片盒下降浸入到化学液以下浸泡晶圆,所述倾斜气缸通过倾斜连杆、中间连杆组件带动片盒翻转;
其中:所述升降连杆为内部中空结构,所述倾斜连杆与升降连杆同轴设置;
所述中间连杆组件包括中间连杆A及中间连杆B,该中间连杆A 铰接于所述片盒上,所述中间连杆B的一端与倾斜连杆的另一端相连,该中间连杆B的另一端与所述中间连杆A铰接;
所述中间连杆A呈“U”形,该“U”形开口的两端分别铰接于所述片盒上;所述中间连杆B呈“L”形,该“L”形的一条边与所述倾斜连杆的另一端固接,另一条边与所述中间连杆A的“U”形底部中间铰接;
所述储液槽的顶部安装有升降气缸,该升降气缸的输出端连接有开关所述传片窗口的挡板;
所述传片窗口上开有与气源连接的吹气管;
所述储液槽中设有对化学液直接加热的加热丝;
所述储液槽上开有维修窗口;
所述储液槽的顶面开有加液口,该储液槽的底面及底板上开有排液口;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造