[实用新型]半导体器件结构

权利要求书

1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：

第一导电类型的半导体材料区，所述半导体材料区包括有源区和端接区；

第一有源沟槽结构，所述第一有源沟槽结构设置在所述有源区中；

第二有源沟槽结构，所述第二有源沟槽结构设置在所述有源区中并且通过具有第一宽度的有源台面区与所述第一有源沟槽横向隔开；和

第一端接沟槽结构，所述第一端接沟槽结构设置在所述端接区中并且通过过渡台面区与所述第二有源沟槽隔开，所述过渡台面区具有第二宽度和比所述有源台面区更高的载流子电荷。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述更高的载流子电荷由以下各项中的至少一者提供：

所述过渡台面区的所述第一导电类型的掺杂剂的掺杂剂浓度高于所述有源台面区的所述第一导电类型的掺杂剂的掺杂剂浓度；以及

所述第二宽度大于所述第一宽度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中，所述半导体器件结构还包括：

第二端接沟槽，所述第二端接沟槽设置在所述端接区中并且通过具有第三宽度的第一端接台面区与所述第一端接沟槽结构隔开；和

第二导电类型的第一基极区，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述第一基极区设置在所述第一端接台面区中，其中：

所述过渡台面区的载流子浓度高于所述第一端接台面区的载流子浓度；

所述第二宽度大于所述第三宽度；并且

所述第一基极区包括电浮动区。

4.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中，所述半导体器件结构还包括：

所述第一导电类型的第一掺杂区，所述第一掺杂区设置在所述过渡台面区中并且具有更高的掺杂剂浓度，其中：

所述第一掺杂区与所述半导体材料区的第一主表面间隔开。

5.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述半导体器件结构还包括：

第一肖特基接触区，所述第一肖特基接触区耦接到所述有源台面区，且邻近第一主表面；和

第二肖特基接触区，所述第二肖特基接触区耦接到所述半导体材料区，且邻近所述第一有源沟槽结构的下表面。

6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述半导体器件结构还包括：

第二导电类型的基极区，所述基极区设置在所述有源台面区中，并且与所述第一有源沟槽相邻；和

所述第一导电类型的源极区，所述源极区设置在所述基极区中，其中：

所述第一有源沟槽结构包括：

屏蔽电极，所述屏蔽电极通过第一电介质结构与所述半导体材料区隔开；和

栅极电极，所述栅极电极通过第二电介质结构与所述半导体材料区隔开；并且

所述第一端接沟槽结构包括：

端接电极，所述端接电极通过具有第三厚度的第三电介质结构与所述半导体材料区隔开。

7.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中：

所述第一端接沟槽结构从第一主表面延伸到所述半导体材料区内的第一深度；

所述第一有源沟槽结构和所述第二有源沟槽结构从所述第一主表面延伸到所述半导体材料区内的第二深度；

所述第一深度大于所述第二深度；并且

所述第一端接沟槽结构包括连续结构，所述连续结构在平面图中完全围绕所述有源区。