[实用新型]铜铟镓硒太阳能电池吸收层及太阳能电池有效
| 申请号： | 201821656699.7 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN209169157U | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 叶亚宽;郭逦达;赵树利 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 刘诚 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铜铟镓硒太阳能电池 吸收层 铟硒 铜铟镓硒层 层叠层 硒层 太阳能电池 铜铟镓硒 转换效率 缓冲层 富含 贫铜 申请 掩埋 | ||
1.一种铜铟镓硒太阳能电池吸收层(30)，其特征在于，包括：
第一铜铟镓硒层(310)；
第二铜铟镓硒层(320)，叠层设置于所述第一铜铟镓硒层(310)；
第三铜铟镓硒层(330)，叠层设置于所述第二铜铟镓硒层(320)；其中，所述第三铜铟镓硒层(330)的镓含量大于所述第二铜铟镓硒层(320)的镓含量，所述第三铜铟镓硒层(330)的铟含量大于所述第二铜铟镓硒层(320)的铟含量。
2.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池吸收层(30)，其特征在于，所述第一铜铟镓硒层(310)的镓含量大于所述第二铜铟镓硒层(320)的镓含量。
3.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池吸收层(30)，其特征在于，所述第三铜铟镓硒层(330)的铜含量小于所述第二铜铟镓硒层(320)的铜含量。
4.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池吸收层(30)，其特征在于，所述第一铜铟镓硒层(310)厚度为200nm-400nm。
5.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池吸收层(30)，其特征在于，所述第二铜铟镓硒层(320)厚度为200nm-400nm。
6.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池吸收层(30)，其特征在于，所述第三铜铟镓硒层(330)厚度为1nm-100nm。
7.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池吸收层(30)，其特征在于，所述第一铜铟镓硒层(310)的镓含量大于所述第三铜铟镓硒层(330)的镓含量。
8.一种铜铟镓硒太阳能电池(1)，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的铜铟镓硒太阳能电池吸收层(30)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京铂阳顶荣光伏科技有限公司，未经北京铂阳顶荣光伏科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821656699.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能电池
- 下一篇：一种环保型单晶A级光伏组件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
