[实用新型]优化输入电容的栅控型功率器件有效
| 申请号： | 201821673335.X | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN209087841U | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 刘剑;郑泽人;龚大卫;王玉林 | 申请（专利权）人： | 扬州国扬电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/085 | 分类号： | H01L27/085;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 饶欣 |
| 地址： | 225009 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极多晶硅层 原胞 本实用新型 输入电容 功率器件 减小 电流均匀性 沟槽结构 原胞区域 优化 | ||
【权利要求书】：
1.优化输入电容的栅控型功率器件，其特征在于：包括方形原胞构成的沟槽结构，dummy原胞区域设有栅极多晶硅层，栅极多晶硅层中开设有窗口。
2.根据权利要求1所述的优化输入电容的栅控型功率器件，其特征在于：所述窗口有多个。
3.根据权利要求1所述的优化输入电容的栅控型功率器件，其特征在于：所述窗口的形状为正方形。
4.根据权利要求3所述的优化输入电容的栅控型功率器件，其特征在于：所述窗口的边长为二分之一dummy原胞宽度。
5.根据权利要求4所述的优化输入电容的栅控型功率器件，其特征在于：所述窗口设在相邻两个沟槽结构的中间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
