[实用新型]一种具有过温保护的USB接口

权利要求书

1.一种具有过温保护的USB接口，其特征在于：所述USB接口处设置有过温保护电路，所述过温保护电路包括信号采集单元及信号控制单元，所述信号采集单元包括热敏电阻（PTC）、第一电阻（R1）及稳压管（D），第一电阻（R1）一端与供电电源（VCC）连接，第一电阻（R1）另一端与所述热敏电阻（PTC）串联，第一电阻（R1）另一端还与稳压管（D）负极连接，稳压管（D）正极接地；

所述信号控制单元包括电压比较器（U1）、NPN三极管（Q1）、PNP三极管（Q2）及第二电阻（R2），电压比较器（U1）同相输入端作为信号控制单元输入端与第一电阻（R1）、热敏电阻（PTC）的公共端连接，电压比较器（U1）反相输入端外接阈值电压（REF），电压比较器（U1）输出端与NPN三极管（Q1）基极连接，NPN三极管（Q1）发射极接地，NPN三极管（Q1）集电极与PNP三极管（Q2）基极连接，PNP三极管（Q2）发射极与供电电源（VCC）连接，PNP三极管（Q2）集电极连接NPN三极管（Q1）基极，PNP三极管（Q2）集电极还通过第二电阻（R2）接地，NPN三极管（Q1）集电极与处理器连接，处理器与USB接口连接的电子设备的充电电路输入端（A2）连接。

2.如权利要求1所述的具有过温保护的USB接口，其特征在于：所述充电电路包括待充电池（E）、第三电阻（R3）、第四电阻（R4）及NMOS管（Q3），第三电阻（R3）一端作为充电电路输入端（A2）与处理器控制连接，第三电阻（R3）另一端与NMOS管（Q3）栅极连接，NMOS管（Q3）漏极通过第四电阻（R4）与供电电源（VCC）连接，NMOS管（Q3）源极接地。

3.如权利要求1所述的具有过温保护的USB接口，其特征在于：所述过温保护电路还包括第五电阻（R5），所述第五电阻（R5）串联至供电电源（VCC）与电压比较器（U1）输出端之间。

4.如权利要求1所述的具有过温保护的USB接口，其特征在于：所述过温保护电路还包括光耦隔离器（OC），光耦隔离器（OC）1脚与稳压管（D）负极连接，光耦隔离器（OC）3脚与供电电源（VCC）连接，光耦隔离器（OC）4脚与信号控制单元输入端连接，光耦隔离器（OC）2脚接地。

5.如权利要求1所述的具有过温保护的USB接口，其特征在于：所述过温保护电路还包括电容（C），电容（C）并联至所述稳压管（D）的两端。

6.如权利要求1所述的具有过温保护的USB接口，其特征在于：所述电压比较器（U1）的型号为LM339。