[实用新型]一种小型吸峰电容器

说明书

本实用新型提出了一种小型吸峰电容器，包括外壳，外壳上设置有两组螺丝柱，外壳内设置有绝缘包膜和芯组，绝缘包膜设置在芯组外侧，芯组与两组螺丝柱相连接，所述芯组包括金属化薄膜组和卷轴，金属化薄膜组包括中留边式薄膜和双留边式薄膜，中留边式薄膜设置在双留边式薄膜外表面，中留边式薄膜与双留边式薄膜包裹在卷轴上，中留边式薄膜和双留边式薄膜上设置有若干个金属镀层，双留边式薄膜两端设有绝缘介质层，中留边式薄膜两端与两组螺丝柱相对应连接。本实用新型整体结构设计紧凑，体积小，耐高压和耐大电流能力强，容量大，方便组装，具有很好的市场推广前景。

技术领域

本实用新型涉及电容器的技术领域，尤其涉及一种小型吸峰电容器。

背景技术

随着世界各国对新能源太阳能光伏的需求发展，作为该行业和传统半导体业的共同基础材料多晶硅的需求也在不断的扩展，而生产多晶硅材料的主要设备是——多晶硅还原炉。多晶硅还原炉上的调压器所带负载是可控硅棒串联而成的纯电阻负载，现有技术中存在的问题是可控硅在非工作档承受较大的电压尖峰和较大的dv/dt（电压随时间的变化率），使非工作档可控硅误导通至损坏。吸峰电容器就是在这里与可控硅并联利用电容器的充放电原理来吸收平滑可控硅两端的尖峰电压和限制可控硅两端过快的电压变化率，从而起到保护以

可控硅为主要元件的多晶硅还原炉调压器。该电容最主要的特点是：在一定体积下要耐压高、耐冲击电流大。

现有的吸峰电容器当时主要电压等级为2000V，容量多在0.22-1uF。由于受以前的老结构老工艺（内部芯子结构和卷绕工艺）的限制，耐压等级最高也就能达到3000V以下、相应电压下容量最高也就能达到0.22uF以下。当达到和超过以上限制时生产合格率、质量稳定性就会明显下降。而目前的发展现状是多晶硅还原炉上的调压器电压等级和功率呈上涨趋势，常用规格电压多在3000-4000之间3500V已成常用等级、容量多在0.22-1.5uF。这样就必须采用一种新的芯子结构、新的卷绕工艺来代替。

理论上电容器增加耐压主要是增加绝缘介质的总厚度即膜的厚度，增加绝缘介质的厚度直接使用厚一点膜、或多层薄点的膜，但就目前单层膜厚已无法满足1500V以上的交流耐压需要，当电压高到一定程度，会出现3层以上的用膜结构，卷绕时就是6层，这样问题就出来了，这种叠层结构层数越多，用自动卷绕机的几率越小只能用手工卷绕机，卷绕的质量越不稳定、层间越容易藏气泡，影响耐压。

实用新型内容

针对电容器内部单层介质厚度不能满足交流耐压需求的技术问题，本实用新型提出一种小型吸峰电容器。

为了解决上述问题，本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种小型吸峰电容器，包括外壳，外壳上设置有两组螺丝柱，外壳内设置有绝缘包膜和芯组，绝缘包膜设置在芯组外侧，芯组与两组螺丝柱相连接，所述芯组包括金属化薄膜组和卷轴，金属化薄膜组包括中留边式薄膜和双留边式薄膜，中留边式薄膜设置在双留边式薄膜外表面，中留边式薄膜与双留边式薄膜包裹在卷轴上，中留边式薄膜和双留边式薄膜上设置有若干个金属镀层，双留边式薄膜两端设有绝缘介质层，中留边式薄膜两端与两组螺丝柱相对应连接。

进一步地，所述中留边式薄膜和双留边式薄膜均为绝缘介质基膜。

进一步地，所述中留边式薄膜两端分别设有电极引出端，电极引出端与两组螺丝柱相对应连接。

进一步地，所述双留边式薄膜上设置有三个金属镀层，中留边式薄膜上设置有四个金属镀层，双留边式薄膜与中留边式薄膜之间组成6组串联电容。

进一步地，所述金属镀层为铝镀层。

本实用新型的有益效果：本实用新型整体结构设计紧凑，体积小，利用双层绝缘介质基膜上金属镀层形成串联电容，大大提高电容器的耐压值，并且双层绝缘介质基膜缠绕卷轴上，大大缩小电容器内的占用空间，耐高压和耐大电流能力强，容量大，方便组装，具有很好的市场推广前景。