[实用新型]一种基于肖特基势垒高度可调的光检测器

权利要求书

1.一种基于肖特基势垒高度可调的光检测器，包括衬底层（1）,所述衬底层（1）的上方设置有第一电极层（2），所述第一电极层（2）的上方设置有有机材料（3），其特征在于:所述有机材料（3）的上表面还覆盖有第二电极层（4），有机材料（3）的下部靠近第一电极层（2）处设置有与第一电极层（2）延伸方向平行的通孔（5），该通孔（5）内设置有电热材料（6），该电热材料（6）的两端分别与外接控制电源的正、负电极连接。

2.如权利要求1所述的一种基于肖特基势垒高度可调的光检测器，其特征在于:所述通孔（5）为S形分布。

3.如权利要求1所述的一种基于肖特基势垒高度可调的光检测器，其特征在于: 所述通孔（5）为Z形折线分布。

4.如权利要求1或2或3所述的一种基于肖特基势垒高度可调的光检测器，其特征在于:所述通孔（5）的直径为300nm～500nm。

5.如权利要求1所述的一种基于肖特基势垒高度可调的光检测器，其特征在于:所述通孔（5）还可以是电热层（7），该电热层（7）是由电热材料（6）制成。

6.如权利要求5所述的一种基于肖特基势垒高度可调的光检测器, 其特征在于:所述电热层（7）的厚度为300nm～500nm。

7.如权利要求1所述的一种基于肖特基势垒高度可调的光检测器，其特征在于:所述第一电极层（2）、第二电极层（4）均是由导电性良好的金、银或铜材料制成。

8.如权利要求1所述的一种基于肖特基势垒高度可调的光检测器, 其特征在于:所述第一电极层（2）的厚度为20nm～200nm。

9.如权利要求1所述的一种基于肖特基势垒高度可调的光检测器, 其特征在于:所述第二电极层（4）的厚度为20nm～200nm。