[实用新型]一种水平结构的垂直腔面发射激光器芯片及激光器有效
| 申请号： | 201821678368.3 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN208890095U | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 梁香美 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 暴露区域 上表面 柱状层 绝缘层 衬底 垂直腔面发射激光器芯片 第二电极 第一电极 水平结构 激光器 电极层 发光层 外延层 包覆绝缘层 散热性能 包覆 申请 芯片 | ||
1.一种水平结构的垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，包括衬底，依次形成于所述衬底上的外延层、绝缘层和电极层，所述外延层包括位于所述衬底上的N型层和位于所述N型层上的柱状层，所述柱状层包括位于所述N型层上的发光层和位于所述发光层上的P型层；
所述柱状层与所述N型层上表面形成第一暴露区域；
所述绝缘层包覆所述柱状层以及所述第一暴露区域，且与所述P型层上表面形成第二暴露区域，以及，与所述N型层上表面形成第三暴露区域；
所述电极层包括第一电极层和第二电极层；
第一电极层包覆所述绝缘层，且在所述第二暴露区域，与所述P型层上表面形成第四暴露区域，以及，与位于所述N型层上的、形成第三暴露区域一侧的所述绝缘层的水平面形成第五暴露区域；
第二电极层位于所述第三暴露区域上。
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述P型层包括形成于发光层上的P-DBR层和形成于所述P-DBR层上的欧姆接触层。
3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述P-DBR层包括多层交替的砷化铝层和砷化铝镓层。
4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述柱状层的宽度不大于20um。
5.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述N型层为N-DBR层，所述N-DBR层包括多层交替的砷化铝层和砷化铝镓层。
6.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述绝缘层的厚度为350-550nm。
7.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第四暴露区域为圆形区域。
8.根据权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述圆形区域的直径范围为10-20um。
9.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述发光层为量子阱结构。
10.一种激光器，其特征在于，包括权利要求1至9任一所述的一种水平结构的垂直腔面发射激光器芯片。
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