[实用新型]一种基于肖特基势垒的宽频段光检测器有效
| 申请号： | 201821680443.X | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN208655664U | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 中山科立特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/108;G01J1/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528458 广东省中*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 宽频段 肖特基势垒 有机材料 光检测器 肖特基结 入射光 孔洞 本实用新型 第一电极 衬底层 上表面 载流子 金属形成 吸收特性 周期分布 金属膜 有机物 光热 检测 探测器 势垒 覆盖 | ||
1.一种基于肖特基势垒的宽频段光检测器,包括衬底层（1）,所述衬底层（1）的上方设置有第一电极层（2），所述第一电极层（2）的上方设置有有机材料（3），其特征在于:所述有机材料（3）的上表面设置有多个周期分布的孔洞（4），并且有机材料（3）的上表面还覆盖有金属膜（5）。
2.如权利要求1所述的一种基于肖特基势垒的宽频段光检测器, 其特征在于:所述孔洞（4）为锥形槽，并且孔洞（4）的侧面法线与底面法线的夹角为60°～85°。
3.如权利要求1所述的一种基于肖特基势垒的宽频段光检测器, 其特征在于:所述孔洞（4）之间，位于有机材料（3）的上表面处设置有填充孔（6）。
4.如权利要求3所述的一种基于肖特基势垒的宽频段光检测器, 其特征在于:所述填充孔（6）内填充有热膨胀材料。
5.如权利要求1所述的一种基于肖特基势垒的宽频段光检测器, 其特征在于:所述孔洞（4）的深度为1μm～5μm。
6.如权利要求1所述的一种基于肖特基势垒的宽频段光检测器, 其特征在于:所述孔洞（4）的宽度为1μm～3μm。
7.如权利要求1所述的一种基于肖特基势垒的宽频段光检测器, 其特征在于:所述金属膜（5）是由导电性良好的金、银或铜材料制成。
8.如权利要求1所述的一种基于肖特基势垒的宽频段光检测器, 其特征在于:所述金属膜（5）是由铂制成。
9.如权利要求1所述的一种基于肖特基势垒的宽频段光检测器, 其特征在于:所述有机材料（3）是有机低聚物或者聚合物制成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山科立特光电科技有限公司，未经中山科立特光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821680443.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能电池组件
- 下一篇：柔性太阳能板封装结构及太阳能道钉
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
