[实用新型]一种电压钳位及ESD保护电路

权利要求书

1.一种电压钳位及ESD保护电路，其特征在于，包括VCC电压侦测电路、VCC电压侦测传递电路、ESD侦测电路、ESD侦测传递电路和电压吸收单元；

所述VCC电压侦测电路与供电电源端口和所述VCC电压侦测传递电路相连，用于侦测供电电源端口的电压，并在供电电源端口的电压超过设定最高电压保护阈值时，将过电压信号传输至VCC电压侦测传递电路；

所述VCC电压侦测传递电路与所述电压吸收单元相连，用以将VCC电压侦测电路输出的过电压信号进行放大处理，产生电压吸收单元工作的驱动电压；

所述ESD侦测电路与ESD侦测传递电路相连，用以侦测供电端口ESD事件发生时的脉冲电压,并将侦测的ESD脉冲电压传输至ESD侦测传递电路，以及防止正常PWM开关控制集成电路芯片正常工作时端口产生的非ESD尖峰电压，防止电压吸收单元误动作；

所述ESD侦测传递电路与所述电压吸收单元相连，用以将ESD电压侦测电路输出的尖峰脉冲信号进行放大处理，产生电压吸收单元工作的驱动电压；

所述电压吸收单元与PWM开关控制集成电路芯片相连，用以吸收供电电源VCC端口的过电压和ESD放电电荷。

2.根据权利要求1所述的一种电压钳位及ESD保护电路，其特征在于，所述VCC电压侦测电路包括串联的二极管串(D1、D2、…、Dn)和电阻(R1)，电阻(R1)另一端接地(GND)，首端的二极管(D1)接电源端口(VCC)。

3.根据权利要求1所述的一种电压钳位及ESD保护电路，其特征在于，所述VCC电压侦测电路包括串联的栅漏短接的PMOS管串(MP1、MP1、…、MPn)和电阻(R1)，电阻(R1)另一端接地(GND)，首端的栅漏短接的PMOS管(MP1)的源极接电源端口(VCC)。

4.根据权利要求1所述的一种电压钳位及ESD保护电路，其特征在于，所述VCC电压侦测电路包括由二极管和栅漏短接的PMOS管组合的串联结构和电阻(R1)，串联结构和电阻(R1)也构成串联结构，电阻(R1)另一端接地(GND)，首端的二极管(D1)或栅漏短接的PMOS管(MP1)的源极接电源端口(VCC)。

5.根据权利要求2或3或4所述的一种电压钳位及ESD保护电路，其特征在于，所述VCC电压侦测电压阈值通过调节VCC电压侦测电路引出信号端实现，所述引出信号端为二极管串或栅漏短接的PMOS管串与电阻(R1)的连接点，或为二极管串中二极管间的连接点，或为栅漏短接的PMOS管串中栅漏短接的PMOS管间的连接点，或为二极管与栅漏短接的PMOS管的连接点，或为电阻(R1)中间抽头。

6.根据权利要求1所述的一种电压钳位及ESD保护电路，其特征在于，所述VCC 电压侦测传递电路包括第一级共源放大电路和第二级共源放大电路，

所述第一级共源放大电路包括电阻(R2)和NMOS管(N2)，所述电阻(R2)与电源端口(VCC)相连，电阻(R2)的另一端与NMOS管(N2)漏极相连，NMOS管(N2)栅极与VCC电压侦测电路的输出端相连，NMOS管(N2)源极接地；

所述第二级共源放大电路包括电阻(R3)和PMOS管(P2)，PMOS管(P2)的源极与电源端口(VCC)相连，PMOS管(P2)的栅极与NMOS管(N2)管漏极相连，PMOS管(P2)的漏极与电阻(R3)一端和电压吸收单元输入端相连，电阻(R3)另一端接地(GND)。

7.根据权利要求1所述的一种电压钳位及ESD保护电路，其特征在于，所述ESD侦测电路包括RC延时电路和尖峰干扰误触发电路，所述RC延时电路包括电阻(R4)和电容(C1)，所述尖峰干扰误触发电路包括电阻(Rz)和二极管(DZ1)，所述电阻(R4)一端与电源供电端口(VCC)相连，另一端与二极管(DZ1)一端和ESD侦测传递电路输入端相连，二极管DZ1另一端与电容(C1)一端相连，电容C1另一端与地(GND)相连，所述电阻(Rz)并联在所述二极管(DZ1)两端。