[实用新型]一种低应力半导体芯片固定结构、半导体器件有效

专利信息
申请号: 201821699872.1 申请日: 2018-10-19
公开(公告)号: CN208835051U 公开(公告)日: 2019-05-07
发明(设计)人: 曹俊;敖利波;江伟;梁赛嫦 申请(专利权)人: 珠海格力电器股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/60
代理公司: 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 代理人: 钱凯
地址: 519070*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷基板 芯片座 导电结合件 引线框架 半导体器件 半导体芯片 本实用新型 陶瓷 固定结构 金属层面 芯片连接 低应力 金属层 陶瓷层 芯片 半导体器件封装 低热膨胀系数 固定陶瓷 固定芯片 缓冲芯片 使用寿命 基板 良率 翘曲 承载
【权利要求书】:

1.一种低应力半导体芯片固定结构,包括芯片、引线框架,所述引线框架包括芯片座,其特征在于:还包括导电结合件、陶瓷基板,所述芯片座用于承载固定陶瓷基板,陶瓷基板用于固定芯片,包括陶瓷层和金属层,所述陶瓷层面通过导电结合件固定在芯片座上,所述金属层面通过导电结合件与芯片连接。

2.根据权利要求1所述的低应力半导体芯片固定结构,其特征在于:所述陶瓷基板上设置有通孔,导电结合件填充于通孔中。

3.根据权利要求2所述的低应力半导体芯片固定结构,其特征在于:所述通孔设有多个。

4.根据权利要求3所述的低应力半导体芯片固定结构,其特征在于:多个通孔对称布置于陶瓷基板两侧或四周。

5.根据权利要求1所述的低应力半导体芯片固定结构,其特征在于:所述的导电结合件包括锡膏、锡线、纳米银中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的低应力半导体芯片固定结构,其特征在于:所述金属层的材质为金属铜。

7.一种低应力半导体器件,其特征在于:包括权利要求1-6任意一项所述的低应力半导体芯片固定结构,还包括封装体、键合金属线,所述引线框架还包括引脚,所述封装体通过注塑成型包覆于芯片、键合金属线、引线框架外且引脚部分伸出封装体。

8.根据权利要求7所述的低应力半导体器件,其特征在于:所述的芯片包括三个电极,分别为栅极、集电极和发射极,所述引脚包括与芯片电极对应连接的栅极引脚、集电极引脚和发射极引脚。

9.根据权利要求8所述的低应力半导体器件,其特征在于:所述芯片的集电极通过导电结合件连接至芯片座上,继而连接至集电极引脚上。

10.根据权利要求8所述的低应力半导体器件,其特征在于:所述芯片的栅极、发射极分别通过金属键合线连接至栅极引脚、发射极引脚上。

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