[实用新型]一种低应力半导体芯片固定结构、半导体器件有效
申请号: | 201821699872.1 | 申请日: | 2018-10-19 |
公开(公告)号: | CN208835051U | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 曹俊;敖利波;江伟;梁赛嫦 | 申请(专利权)人: | 珠海格力电器股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L21/60 |
代理公司: | 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 | 代理人: | 钱凯 |
地址: | 519070*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷基板 芯片座 导电结合件 引线框架 半导体器件 半导体芯片 本实用新型 陶瓷 固定结构 金属层面 芯片连接 低应力 金属层 陶瓷层 芯片 半导体器件封装 低热膨胀系数 固定陶瓷 固定芯片 缓冲芯片 使用寿命 基板 良率 翘曲 承载 | ||
1.一种低应力半导体芯片固定结构,包括芯片、引线框架,所述引线框架包括芯片座,其特征在于:还包括导电结合件、陶瓷基板,所述芯片座用于承载固定陶瓷基板,陶瓷基板用于固定芯片,包括陶瓷层和金属层,所述陶瓷层面通过导电结合件固定在芯片座上,所述金属层面通过导电结合件与芯片连接。
2.根据权利要求1所述的低应力半导体芯片固定结构,其特征在于:所述陶瓷基板上设置有通孔,导电结合件填充于通孔中。
3.根据权利要求2所述的低应力半导体芯片固定结构,其特征在于:所述通孔设有多个。
4.根据权利要求3所述的低应力半导体芯片固定结构,其特征在于:多个通孔对称布置于陶瓷基板两侧或四周。
5.根据权利要求1所述的低应力半导体芯片固定结构,其特征在于:所述的导电结合件包括锡膏、锡线、纳米银中的任意一种。
6.根据权利要求1所述的低应力半导体芯片固定结构,其特征在于:所述金属层的材质为金属铜。
7.一种低应力半导体器件,其特征在于:包括权利要求1-6任意一项所述的低应力半导体芯片固定结构,还包括封装体、键合金属线,所述引线框架还包括引脚,所述封装体通过注塑成型包覆于芯片、键合金属线、引线框架外且引脚部分伸出封装体。
8.根据权利要求7所述的低应力半导体器件,其特征在于:所述的芯片包括三个电极,分别为栅极、集电极和发射极,所述引脚包括与芯片电极对应连接的栅极引脚、集电极引脚和发射极引脚。
9.根据权利要求8所述的低应力半导体器件,其特征在于:所述芯片的集电极通过导电结合件连接至芯片座上,继而连接至集电极引脚上。
10.根据权利要求8所述的低应力半导体器件,其特征在于:所述芯片的栅极、发射极分别通过金属键合线连接至栅极引脚、发射极引脚上。
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