[实用新型]一种用于变频器上的IGBT散热器有效
申请号: | 201821707272.5 | 申请日: | 2018-10-22 |
公开(公告)号: | CN208923101U | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 曹宇宁;缪爱军;王明仁 | 申请(专利权)人: | 德威(苏州)新能源有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/473 |
代理公司: | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人: | 张汉钦 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 散热底板 出液口 进液口 变频器 散热片 本实用新型 散热效果 侧面 | ||
本实用新型公开了一种用于变频器上的IGBT散热器,包括散热片和散热底板,所述散热片设置于所述散热底板上,所述散热片的底部设置有第一进液口和第一出液口,所述散热底板包括第一散热底板和第二散热底板,所述第一散热底板和所述第二散热底板上下相触设置,所述第一散热底板上设置有第二进液口和第二出液口,所述第二进液口与所述第一进液口对应设置,所述第二出液口与所述第一出液口对应设置,所述散热底板的侧面上设置第三进液口和第三出液口。通过上述方式,本实用新型的用于变频器上的IGBT散热器,能够实现对IGBT的快速和实时降温,确保变频器的有效正常运行,结构简单,容易获得,成本低,散热效果好。
技术领域
本发明涉及变频技术领域,特别是涉及一种用于变频器上的IGBT散热器。
背景技术
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由双极型三极管BJT和绝缘栅型场效应管MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT在使用过程中发热量大,造成变频器高温,会影响变频器的使用。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种用于变频器上的IGBT散热器,使用效果好。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种用于变频器上的IGBT散热器,包括散热片和散热底板,所述散热片设置于所述散热底板上,所述散热片的底部设置有第一进液口和第一出液口,所述散热底板包括第一散热底板和第二散热底板,所述第一散热底板和所述第二散热底板上下相触设置,所述第一散热底板上设置有第二进液口和第二出液口,所述第二进液口与所述第一进液口对应设置,所述第二出液口与所述第一出液口对应设置,所述散热底板的侧面上设置第三进液口和第三出液口。
在本发明一个较佳实施例中,所述散热片为长方体或正方体结构设置。
在本发明一个较佳实施例中,所述用于变频器上的IGBT散热器还包括卡扣,所述卡扣使IGBT夹于所述散热片的侧面上。
在本发明一个较佳实施例中,所述用于变频器上的IGBT散热器还包括氮化铝基板,所述氮化铝基板铺设于所述散热片的侧面上。
在本发明一个较佳实施例中,所述用于变频器上的IGBT散热器还包括导热硅胶,所述导热硅胶填充于IGBT和所述氮化铝基板之间。
在本发明一个较佳实施例中,所述散热底板内包括进液腔和出液腔,所述进液腔与所述第三进液口相通设置,所述出液腔与所述第三出液口相通设置,所述进液腔与所述出液腔分隔设置。
在本发明一个较佳实施例中,所述进液腔内在所述第二散热底板上设置有若干凸起。
在本发明一个较佳实施例中,所述进液腔的面积大于所述出液腔的面积。
在本发明一个较佳实施例中,所述用于变频器上的IGBT散热器还包括固定孔,所述第一散热底板和所述第二散热底板通过所述固定孔和螺丝固定。
在本发明一个较佳实施例中,所述第一散热底板的下部设置有凸起,所述第二散热底板的表面设置有下凹,所述第一散热底板的凸起伸入到所述第二散热板的下凹内,且所述凸起和所述下凹之间设置有胶黏剂。
本发明的有益效果是:本发明的用于变频器上的IGBT散热器,能够实现对IGBT的快速和实时降温,确保变频器的有效正常运行,结构简单,容易获得,成本低,散热效果好。
附图说明
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