[实用新型]一种太阳能背银浆料银铝接触测试装置有效
申请号: | 201821710766.9 | 申请日: | 2018-10-22 |
公开(公告)号: | CN208796957U | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 涂小平;乔梦书;杨银龙 | 申请(专利权)人: | 常州聚和新材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 213000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
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本实用新型公开了一种太阳能背银浆料银铝接触测试装置,包括背浆网版、背场铝浆网版,所述背浆网版上开设有若干间隔设置的背浆开口,所述背场铝浆网版上对应所述背浆开口开设有间隔设置的背场开口,所述背浆开口与所述背场开口的对应设置使得所述多晶硅片背面上印刷的所述背面银电极和所述背场铝电极依次相连且部分重叠,以使得所述背面银电极和所述背场铝电极形成串联电极,所述背浆开口比所述背场开口多一个;还包括一电阻测试装置,所述电阻测试装置用于测试首尾背面银电极间的电阻值。本实用新型装置使用快速、简便,浆料厂家内部就能测试银铝接触的方法。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池片技术领域,尤其涉及一种太阳能背银浆料银铝接触测试装置。
背景技术
太阳能电池利用了半导体P-N结的光生伏特效应。光照射到P-N结上,产生电子-空穴对,当外电路形成回路时,产生的光生电子朝着太阳电池正表面的栅线运动,被栅线收集,空穴朝着背电极运动。形成电流流到外电路,之后,电子从电池的背面进入,与空穴复合,形成回路。
回路中的电子从汇流带先导入背面银电极,再从背面银电极导入背场铝电极,再进入电池中。在导入过程中,由于银电极与铝背场需要一定的共烧合金,以降低两者的接触电阻,提高电池片转化效率。
浆料厂家在研发新品或生产背浆及铝浆时,都需要对两者的接触进行检测,最好的办法就是把产品应用到电池片厂家生产线上,印刷电池片,进行批量验证,但这样缺点是周期长,成本高。
实用新型内容
本实用新型提供一种太阳能背银浆料银铝接触测试装置,快速、简便,浆料厂家自己内部就能采用本装置测试银铝接触。
本实用新型的技术方案如下:
一种太阳能背银浆料银铝接触测试装置,包括背浆网版、背场铝浆网版,所述背浆网版上开设有若干间隔设置的背浆开口,所述背浆开口用于将背面浆料印刷到一多晶硅片背面上以形成背面银电极,所述背场铝浆网版上对应所述背浆开口开设有间隔设置的背场开口,所述背场开口用于将背场铝浆印刷到所述多晶硅片背面上以形成背场铝电极,所述背浆开口与所述背场开口的对应设置使得所述多晶硅片背面上印刷的所述背面银电极和所述背场铝电极依次相连且部分重叠,以使得所述背面银电极和所述背场铝电极形成串联电极,所述背浆开口比所述背场开口多一个;还包括一电阻测试装置,所述电阻测试装置用于测试首尾背面银电极间的电阻值。
优选的,所述背浆网版、所述背场铝浆网版上设置有标记点。所述标记点可对所述背浆网版和所述背场铝浆网版进行快速定位,以在所述多晶硅片背面上快速的印刷所述背面银电极和所述背场铝电极并且使之精准的依次相连且部分重叠。
优选的,所述背浆开口的个数为10-30。
优选的,所述背场开口沿电极串联方向等间距设置。
优选的,所述背浆开口沿电极串联方向等间距设置。
优选的,所述背场铝电极302与背面银电极301的每个部分重叠点的接触面积为1~3mm2。
优选的,所述电阻测试装置为微欧计。
使用本实用新型装置测试银电极两端的电阻R。电阻值越大,说明背浆及铝浆的接触越差,反之则越好。通过使用本装置进行测试可以放大接触电阻的值,由原来的毫偶(mΩ)级变至欧姆(Ω)级,消除了测试过程中因人为测量因素带来的偏差,有利于测试结果的判别。同时又大大提高了检验的效率。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:
本实用新型装置使用简单,直接通过背浆网版、背场铝浆网版在多晶硅片背面形成银电极、铝电极而实现对背浆及铝浆接触进行检测,不需要在电池片厂家生产线上印刷电池片,进行批量验证;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造