[实用新型]薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201821711250.6 | 申请日: | 2018-10-22 |
公开(公告)号: | CN209071345U | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 王涛;霍艳寅 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/0224;H01L31/0236 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 赵永辉 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜太阳能电池 石墨烯薄膜 石墨烯层 电极层 基底层 衬底 光电转化效率 本实用新型 薄膜电池 背电极层 传统石墨 光吸收层 依次层叠 元素扩散 缓冲层 栅线层 光窗 两层 贴附 覆盖 | ||
1.一种薄膜太阳能电池(100),其特征在于,包括:
衬底(110),包括基底层(111)和第一石墨烯层(112),所述第一石墨烯层(112)覆盖所述基底层(111),且所述第一石墨烯层(112)的材料为石墨烯薄膜;
背电极层(120),覆盖所述第一石墨烯层(112);
光吸收层(130),覆盖所述背电极层(120);
缓冲层(140),覆盖所述光吸收层(130);
光窗层(150),覆盖所述缓冲层(140);
第二石墨烯层(160),覆盖所述光窗层(150);
栅线层(170),覆盖所述第二石墨烯层(160)。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池(100),其特征在于,所述第一石墨烯层(112)直接采用化学气相沉积法在所述基底层(111)上制备。
3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池(100),其特征在于,还包括阻水层(180),所述阻水层(180)覆盖所述栅线层(170)。
4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池(100),其特征在于,还包括防护层(190),所述防护层(190)覆盖所述栅线层(170)。
5.根据权利要求3所述的薄膜太阳能电池(100),其特征在于,还包括防护层(190),所述防护层(190)覆盖所述阻水层(180)。
6.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池(100),其特征在于,所述基底层(111)厚度为10μm~100μm,所述第一石墨烯层(112)的厚度为0.1nm~10nm。
7.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池(100),其特征在于,所述背电极层(120)的厚度为20nm~200nm。
8.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池(100),其特征在于,所述光吸收层(130)的厚度为300nm~1000nm。
9.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池(100),其特征在于,所述缓冲层(140)的厚度为20nm~400nm。
10.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池(100),其特征在于,所述光窗层(150)的厚度为10nm~800nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的