[实用新型]一种高纯碳化硅的制备装置有效
| 申请号： | 201821713656.8 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN209243245U | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 李汶军;丁鼎峰 | 申请（专利权）人： | 台州蓝能新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00;C01B32/956 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 318055 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨坩埚 圆柱形石墨 本实用新型 石墨管 进气口 高纯碳化硅 石墨垫块 制备装置 半绝缘碳化硅 晶体电阻率 底部连接 高纯材料 高温条件 生长过程 微量氮气 发热体 隔离层 碳化硅 真空腔 真空室 生长 掺入 高纯 空腔 室内 释放 保证 | ||
1.一种高纯碳化硅的制备装置，该生长装置包括：真空室、感应线圈(7)、石墨毡(3)、圆柱形石墨桶(9)和石墨坩埚(8)，其特征在于：
所述圆柱形石墨桶(9)的底部连接有石墨管(12)；
所述石墨管(12)与真空室的进气口(13)相连接；
所述圆柱形石墨桶(9)的内部放置有若干块高度相同的石墨垫块(11)；
所述石墨坩埚(8)置于圆柱形石墨桶(9)内的石墨垫块(11)上；
所述进气口(13)、石墨管(12)以及石墨坩埚(8)和圆柱形石墨桶(9)之间的空腔构成阻止真空腔中的气体进入石墨坩埚(8)内的隔离层。
2.根据权利要求1所述的一种高纯碳化硅的制备装置，其特征在于：
所述圆柱形石墨桶(9)为发热体。
3.根据权利要求1所述的一种高纯碳化硅的制备装置，其特征在于：
所述圆柱形石墨桶(9)内的石墨垫块(11)的高度为1-100毫米。
4.根据权利要求1所述的一种高纯碳化硅的制备装置，其特征在于：
所述石墨坩埚(8)顶部设有一个石墨坩埚盖(4)，石墨坩埚盖(4)上开设有出气口。
5.根据权利要求1所述的一种高纯碳化硅的制备装置，其特征在于：
所述石墨坩埚(8)顶部通过螺纹与测温管(2)相连。
6.根据权利要求1所述的一种高纯碳化硅的制备装置，其特征在于：
所述石墨坩埚(8)内装有粒径100微米或300微米的碳化硅粉末。
7.根据权利要求1所述的一种高纯碳化硅的制备装置，其特征在于：
与进气口(13)连接的石墨管(12)道内侧表面镀有碳化钽或碳化硅或碳化钛。
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