[实用新型]一种控制离子在金属氧化物薄膜中迁移的装置

权利要求书

1.一种控制离子在金属氧化物薄膜中迁移的装置，其特征在于，包括导电层、金属氧化物薄膜、电解质层和电极；所述金属氧化物薄膜覆盖于所述导电层表面，且所述金属氧化物薄膜的面积小于所述导电层的面积，从而在所述导电层的表面两侧形成空白区域；所述电解质层包覆于所述金属氧化物薄膜表面；所述电极设于所述导电层的表面两侧的空白区域内，与所述导电层接触，且不与所述金属氧化物薄膜和所述电解质层接触，所述电极连接外电路产生电流，所述电流经过所述导电层且不经过所述金属氧化物薄膜和电解质层。

2.根据权利要求1所述的控制离子在金属氧化物薄膜中迁移的装置，其特征在于，所述金属氧化物薄膜为氧化钨薄膜、氧化钼薄膜、二氧化钛薄膜或五氧化二铌薄膜。

3.根据权利要求1所述的控制离子在金属氧化物薄膜中迁移的装置，其特征在于，所述电解质层为含有杂质离子的液体电解质层或凝胶体电解质层。

4.根据权利要求3所述的控制离子在金属氧化物薄膜中迁移的装置，其特征在于，所述杂质离子为锂离子、氢离子、钠离子、锌离子或钾离子。

5.根据权利要求1所述的控制离子在金属氧化物薄膜中迁移的装置，其特征在于，所述电解质层的面积大于所述金属氧化物薄膜的面积，且小于所述导电层的面积。

6.根据权利要求1所述的控制离子在金属氧化物薄膜中迁移的装置，其特征在于，所述导电层为金属薄膜、ITO薄膜、AZO薄膜或FTO薄膜。

7.根据权利要求1所述的控制离子在金属氧化物薄膜中迁移的装置，其特征在于，所述电极为金属电极、ITO电极、AZO电极或FTO电极。