[实用新型]一种垂直结构LED芯片、反射电极有效
| 申请号： | 201821718205.3 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN209169167U | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 陈芳;王光绪;刘军林;李树强;吴小明;杨梦琳;郭醒;江风益 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/38;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 胡群 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第二电极 第一电极 本实用新型 反射电极 垂直结构LED芯片 低折射率介质层 反射金属层 接触层 高光 遮挡 发光 芯片 反射电极结构 高光反射率 光提取效率 键合金属层 欧姆接触 有效减少 薄膜LED 粗化层 发光层 导电 对正 基板 小孔 复合 | ||
1.一种垂直结构LED芯片，其特征在于：所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极，第二电极与第一电极共同构成反射电极；
所述第一电极包括第一电极接触层、低折射率介质层、高光反射金属层，所述高光反射金属层与所述低折射率介质层接触，所述低折射率介质层与所述第一电极接触层接触，所述第一电极接触层与所述发光层接触，所述低折射率介质层和高光反射金属层之间具有二者复合的导电小孔结构，第二电极正下方对应的低折射率介质层区域不制备导电小孔结构。
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：所述低折射率介质层为SiO2、SiNx或SiON任意一种或多种，厚度为1nm-1000nm。
3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：所述高光反射金属层为Ag、Au金属单层，或者为NiAg、NiAu、AuBe或AuZn合金任意一种或多种，厚度为1nm-1000nm。
4.一种垂直结构LED芯片的反射电极，其特征在于：所述反射电极由第一电极和第二电极共同构成；
所述第一电极包括第一电极接触层、低折射率介质层、高光反射金属层，所述高光反射金属层与所述低折射率介质层接触，所述低折射率介质层与所述第一电极接触层接触，所述低折射率介质层和高光反射金属层之间具有二者复合的导电小孔结构，第二电极正下方对应的低折射率介质层区域不制备导电小孔结构。
5.根据权利要求4所述的反射电极，其特征在于：所述低折射率介质层为SiO2、SiNx或SiON任意一种或多种，厚度为1nm-1000nm。
6.根据权利要求4所述的反射电极，其特征在于：所述高光反射金属层为Ag、Au金属单层，或者为NiAg、NiAu、AuBe或AuZn合金任意一种或多种，厚度为1nm-1000nm。
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