[实用新型]LVDT位移传感器

说明书

本实用新型属传感器领域，尤其涉及一种LVDT位移传感器，包括外壳（2）、骨架（1）、初级线圈（3）、第一次级线圈（401）、第二次级线圈（402）及可移动铁芯（5）；所述第一次级线圈（401）、初级线圈（3）及第二次级线圈（402）依次设于骨架（1）上；所述可移动铁芯（5）置于骨架（1）的中部腔体内；所述第一次级线圈（401）与第二次级线圈（402）反向串接。本实用新型结构简单，可靠性高，灵敏度好，环境温度影响小，线性范围大。

技术领域

本实用新型属传感器领域，尤其涉及一种LVDT位移传感器。

背景技术

LVDT（Linear Variable Differential Transformer）位移传感器，是一种把机械位移转换为电信号的电磁感应式位移传感器，具有无摩擦测量、分辨率高、重复性好、寿命久，可靠性高等优点，因此被广泛应用于军事、国防、航空航天及民用生产中。现有位移传感器普遍存在着可靠性低，灵敏度差，受环境温度影响大等特点。

实用新型内容

本实用新型旨在克服现有技术的不足之处而提供一种结构简单，可靠性高，灵敏度好，环境温度影响小，线性范围大的LVDT位移传感器。

为解决上述技术问题，本实用新型是这样实现的：

LVDT位移传感器，包括外壳、骨架、初级线圈、第一次级线圈、第二次级线圈及可移动铁芯；所述第一次级线圈、初级线圈及第二次级线圈依次设于骨架上；所述可移动铁芯置于骨架的中部腔体内；所述第一次级线圈与第二次级线圈反向串接。

作为一种优选方案，本实用新型在所述初级线圈、第一次级线圈及第二次级线圈上依次再设置初级补偿线圈、第一次级补偿线圈及第二次级补偿线圈。

进一步地，本实用新型在所述第一次级线圈及第二次级线圈的端部设有温度补偿模块；所述温度补偿模块采用二极管IN4148补偿元件。

本实用新型具有结构简单，可靠性高，灵敏度好，环境温度影响小等特点。为了提高传感器的灵敏度，改善传感器的线性度、增大传感器的线性范围，本实用新型将两个次级线圈反串相接、两个次级线圈的电压极性相反，LVDT输出的电压是两个次级线圈的电压之差，这个输出的电压值与铁心的位移量成线性关系。本实用新型通过硬件补偿方式在线圈中增加温度补偿绕组，在放大等环节加热敏元件加以补偿，具有可靠性高，电路整体体积小的优点。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步说明。本实用新型的保护范围不仅局限于下列内容的表述。

图1为本实用新型整体结构示意图。

图2为本实用新型电路原理图。

图3为本实用新型二极管温度补偿电路图。

图中：1、骨架；2、外壳；3、初级线圈；401、第一次级线圈；402、第二次级线圈；5、可移动铁芯；3-1、初级补偿线圈；401-1、第一次级补偿线圈；402-1、第二次级补偿线圈。

具体实施方式

如图所示，LVDT位移传感器包括外壳2、骨架1、初级线圈3、第一次级线圈401、第二次级线圈402及可移动铁芯5；所述第一次级线圈401、初级线圈3及第二次级线圈402依次设于骨架1上；所述可移动铁芯5置于骨架1的中部腔体内；所述第一次级线圈401与第二次级线圈402反向串接。

本实用新型在所述初级线圈3、第一次级线圈401及第二次级线圈402上依次再设置初级补偿线圈3-1、第一次级补偿线圈401-1及第二次级补偿线圈402-1。

本实用新型在所述第一次级线圈401及第二次级线圈402的端部设有温度补偿模块；所述温度补偿模块采用二极管IN4148补偿元件。