[实用新型]基片处理装置有效
| 申请号： | 201821724128.2 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN209000877U | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 田中幸二;池田贵志;益富裕之 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理液供给 喷嘴 基片处理装置 基片处理 处理液 调压板 蚀刻 本实用新型 划分区域 排出口 喷嘴排 排出 流通 | ||
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
基片处理槽；
处理液供给喷嘴，其设置在所述基片处理槽内的下方，从多个排出口排出处理液；和
调压板，其设置在所述处理液供给喷嘴与所述基片处理槽内的基片之间，具有使所述处理液流通的多个孔，调节从所述处理液供给喷嘴排出的所述处理液的流入压力，
所述调压板具有从所述处理液供给喷嘴侧的面突出的将所述处理液供给喷嘴侧的面划分为多个划分区域的棱。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述调压板具有形成为格子状的所述棱。
3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述多个划分区域中，一部分划分区域的面积与其他划分区域的面积不同。
4.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述多个划分区域的面积各自不同。
5.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述多个划分区域中，所述基片处理槽的侧壁侧的划分区域的面积小于其他划分区域的面积。
6.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述调压板中，在所述处理液供给喷嘴侧的孔的端部设有倒角部。
7.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
包括整流板，其设置在所述调压板与所述基片之间，具有缝隙，对去往所述基片的所述处理液的液流进行整流。
8.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
包括气泡产生部，其在向所述处理液供给喷嘴供给所述处理液的处理液供给路径中产生气泡。
9.如权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于：
所述气泡产生部包括调节所述气泡的直径的调节部。
10.如权利要求9所述的基片处理装置，其特征在于：
所述调节部改变流路面积。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821724128.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
