[实用新型]半导体处理腔室

说明书

公开了半导体处理腔室。系统和方法可用于制定等离子体过滤。示例性处理腔室可包括喷淋头。处理腔室可包括基板支撑件。处理腔室可包括电源，所述电源与基板支撑件电气耦合并且经构造以向基板支撑件提供电力，来在喷淋头与基板支撑件之间限定的处理区域内产生偏压等离子体。处理系统可包括等离子体屏蔽件，所述等离子体屏蔽件与基板支撑件耦合并且经构造以实质上消除穿过等离子体屏蔽件的等离子体泄漏。等离子体屏蔽件可与电气接地耦合。

技术领域

本技术涉及半导体系统、方法和设备。更具体来说，本技术涉及用于在处理腔室内过滤等离子体的系统和方法。

背景技术

集成电路可能由在基板表面上产生复杂图案化的材料层的工艺来制成。在基板上产生图案化的材料需要用于移除已暴露材料的受控方法。化学蚀刻用于各种目的，包括将光刻胶中的图案转印到下层、减薄层、或减薄已经存在于表面上的特征的横向尺寸。通常期望具有蚀刻一种材料比另一种材料更快的蚀刻工艺，从而促进例如图案转印工艺。将此种蚀刻工艺称为对第一材料具有选择性。由于材料、电路和工艺的多样性，已经开发出具有对各种材料的选择性的蚀刻工艺。

蚀刻工艺可基于所述工艺中使用的材料而被称为湿式或干式。与其它电介质和材料相比，湿式HF蚀刻优先移除氧化硅。然而，湿式工艺可能难以穿透一些受限沟槽，并且还可能有时使剩余材料变形。在基板处理区域内形成的局部等离子体中产生的干式蚀刻可以穿透更受限的沟槽，并且呈现精细剩余结构的更少变形。然而，局部等离子体可以经由产生电弧而破坏基板，因为所述电弧放电。

因此，存在对可以用于产生高品质器件和结构的改良的系统和方法的需要。这些需要和其它需要由本技术解决。

实用新型内容

系统和方法可以用于制定等离子体过滤。示例性处理腔室可包括喷淋头。处理腔室可包括基板支撑件。处理腔室可包括电源，所述电源与基板支撑件电气耦合并且经构造以向基板支撑件提供电力，来在喷淋头与基板支撑件之间限定的处理区域内产生偏压等离子体。处理系统可包括等离子体屏蔽件，所述等离子体屏蔽件与基板支撑件耦合并且经构造以实质上消除穿过等离子体屏蔽件的等离子体泄漏。等离子体屏蔽件可与电气接地耦合。

在一些实施方式中，等离子体屏蔽件可以包括从基板支撑件向外径向延伸的环形部件。等离子体屏蔽件可由绕等离子体屏蔽件的内部半径的第一厚度表征，并且等离子体屏蔽件可由绕等离子体屏蔽件的外部半径的小于所述第一厚度的第二厚度表征。等离子体屏蔽件可限定穿过等离子体屏蔽件的多个孔。所述多个孔可在等离子体屏蔽件由第二厚度表征的区域内限定。所述多个孔中的每个孔可由包括锥形部的轮廓表征，所述锥形部至少部分延伸穿过等离子体屏蔽件。等离子体屏蔽件可限定穿过等离子体屏蔽件的至少约500个孔。多个孔中的每个孔可由小于或约0.25英寸的直径表征。间隙可在等离子体屏蔽件的径向边缘与半导体处理腔室的侧壁之间维持。等离子体屏蔽件可以维持与基板支撑件的静电夹盘部分电气隔离，所述静电夹盘部分与电源电气耦合。

本技术还包括附加的半导体处理腔室。所述腔室可包括腔室侧壁。所述腔室可包括喷淋头。所述腔室还可包括基板支撑件，并且基板支撑件可与喷淋头和腔室侧壁一起限定半导体处理腔室的处理区域。基板支撑件可包括导电圆盘。基板支撑件可以是可从处理区域内的第一竖直位置移动到邻近喷淋头的处理区域内的第二竖直位置的。腔室可包括与导电圆盘电气耦合的电源。电源可适于向导电圆盘提供能量以在处理区域内形成偏压等离子体。腔室还可包括沿着基板支撑件的圆周与基板支撑件耦合的等离子体屏蔽件。等离子体屏蔽件可以朝向腔室侧壁向外径向延伸，并且等离子体屏蔽件可以维持在电气接地处。