[实用新型]控制电路和控制系统

权利要求书

1.一种控制电路，其特征在于，包括：

雪崩二极管；

有源模块，被配置为使能所述雪崩二极管并且向所述雪崩二极管施加第一反向偏置电压，所述第一反向偏置电压等于或大于所述雪崩二极管的击穿电压；以及

无源模块，被配置为禁用所述雪崩二极管并且向所述雪崩二极管施加第二反向偏置电压，所述第二反向偏置电压小于所述击穿电压。

2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，其中所述无源模块包括被耦合在供电电压与所述雪崩二极管之间的钳位二极管。

3.根据权利要求2所述的控制电路，其特征在于，其中所述钳位二极管包括被耦合至所述供电电压的阴极、和被耦合至所述雪崩二极管的阳极的阳极。

4.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，其中所述有源模块包括第一控制信号生成器和第一开关，所述第一控制信号生成器被配置为生成第一控制信号，所述第一开关被配置为由所述第一控制信号控制，以将所述雪崩二极管与电压供应连接和断开连接。

5.根据权利要求4所述的控制电路，其特征在于，其中所述第一开关是金属氧化物半导体MOS开关。

6.根据权利要求4所述的控制电路，其特征在于，其中所述第一开关是N型金属氧化物半导体NMOS开关。

7.根据权利要求4所述的控制电路，其特征在于，其中所述第一开关是N型延伸漏极金属氧化物半导体NEDMOS开关。

8.根据权利要求4所述的控制电路，其特征在于，其中所述有源模块包括第二控制信号生成器和第二开关，所述第二控制信号生成器被配置为生成第二控制信号，所述第二开关被配置为由所述第二控制信号控制，以将雪崩二极管与所述电压供应连接和断开连接。

9.根据权利要求8所述的控制电路，其特征在于，其中所述第二开关是金属氧化物半导体MOS开关。

10.根据权利要求8所述的控制电路，其特征在于，其中所述第二开关是N型金属氧化物半导体NMOS开关。

11.根据权利要求8所述的控制电路，其特征在于，其中所述第二开关是N型延伸漏极金属氧化物半导体NEDMOS开关。

12.一种控制系统，其特征在于，包括：

雪崩二极管；以及

控制电路，被配置为控制所述雪崩二极管，所述控制电路包括：

第一开关，被耦合在所述雪崩二极管的阳极与第一电压供应之间；

钳位二极管，被耦合在所述雪崩二极管的所述阳极与第二电压供应之间；以及

电阻器，被耦合在所述雪崩二极管的阴极与第三电压供应之间。

13.根据权利要求12所述的控制系统，其特征在于，其中所述控制电路还包括检测器，所述检测器被耦合至所述雪崩二极管的所述阴极，并且所述检测器被配置为检测电流的增加。

14.根据权利要求13所述的控制系统，其特征在于，其中所述控制电路还包括电容器，所述电容器被耦合在所述检测器与所述雪崩二极管的所述阴极之间。

15.根据权利要求12所述的控制系统，其特征在于，其中所述控制电路还包括第二开关，所述第二开关被耦合在所述雪崩二极管的所述阳极与所述第一开关之间。

16.根据权利要求15所述的控制系统，其特征在于，还包括：

第一控制信号生成器，被配置为生成用以断开和闭合所述第一开关的第一控制信号；以及

第二控制信号生成器，被配置为生成用以断开和闭合所述第二开关的第二控制信号。

17.根据权利要求16所述的控制系统，其特征在于，其中所述第一控制信号在第一电压电平与第二电压电平之间交替，并且所述第二控制信号是恒定的。