[实用新型]一种HIT双面双玻光伏组件有效
申请号: | 201821734528.1 | 申请日: | 2018-10-25 |
公开(公告)号: | CN209766440U | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 惠祺;季军义;顾海峰;顾丽萍;常宇峰 | 申请(专利权)人: | 江苏彩虹永能新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/0747;H01L31/18 |
代理公司: | 11548 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 李静 |
地址: | 215600 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装材料层 后玻璃 本实用新型 电池 接线盒 前玻璃 双玻光伏组件 高功率输出 边缘位置 从上至下 正反两面 吸光率 发电量 | ||
本实用新型提供了一种HIT双面双玻光伏组件,包括前玻璃、第一封装材料层、双面HIT电池、第二封装材料层、后玻璃和接线盒,所述前玻璃、第一封装材料层、双面HIT电池、第二封装材料层和后玻璃从上至下依次分布,所述接线盒安装于后玻璃边缘位置处。本实用新型增加了电池的吸光率,实现了组件正反两面的高功率输出,具体为:发电量提升、可靠性高、寿命长。
技术领域
本实用新型涉及晶硅太阳能电池组件制造技术领域,特别涉及一种 HIT双面双玻光伏组件。
背景技术
太阳能行业作为一种低碳可再生能源,正在世界范围内蓬勃发展,各国安装量逐年增长。目前在地面和各种类型屋顶上安装光伏系统的案例已非常多。对于各类型建筑,安装具有发电功能的光伏产品可以降低建筑用电能耗,达到节能减排的效果,同时也为建筑业主和系统安装使用人带来经济效益,因此非常具有推广价值。
目前使用的HIT结构的硅太阳能电池,所谓HIT(Heterojunction with intrinsicThinlayer)结构就是在P型氢化非晶硅和n型氢化非晶硅与n型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜,采取该工艺措施后,改变了PN结的性能。因而使转换效率达到20%,开路电压达到719 mV,并且全部工艺可以在200℃以下实现。
HIT太阳能电池按单位面积计算的发电量保持着世界领先水准。HIT具有制备工艺温度低、转换效率高、高温特性好等特点,是一种低价高效电池。HIT的转化效率越高,意味着它更加具有可与传统的硅晶太阳能电池相匹敌的优势。
现有太阳光伏产品采用硅晶电池,该种电池需要使用大量的硅晶圆,成本极高,由于硅晶圆的合成需要大量的能源,不够环保;本实用新型公开了一种 HIT双面双玻光伏组件,提高了双玻光伏组件的功率。光伏组件从上至下依次由第一玻璃盖板、EVA、太阳能电池片、EVA以及第二玻璃盖板5层结构组成,HIT电池片转换效率大于传统电池片的20%;效率温度系数较低(<0.3%/℃),此类电池片在高温环境下工作更有效率;相对于传统晶硅电池,HIT太阳能光伏电池相对更加环保;可实现薄型化,所以使用少量的硅即可。制作硅晶圆等时实际上需要相当大的能源,因此薄型也是一个重要因素。由此看来,如果追求更加环保的方式,HIT太阳能光伏电池是最佳选择。HIT太阳能光伏电池单元实现超薄对公司来说,还具有降低制造成本的效果。从成本来看,在HIT太阳能光伏电池等结晶硅型太阳能电池单元中,硅晶圆在总成本中所占的比例非常大,减薄其厚度是降低成本的重点。
实用新型内容
为了克服现有技术中成本高、不环保的缺陷,本实用新型提供一种 HIT双面双玻光伏组件。
为了实现上述目的,本实用新型提供以下技术方案:
一种 HIT双面双玻光伏组件,包括前玻璃、第一封装材料层、双面HIT电池、第二封装材料层、后玻璃和接线盒,所述前玻璃、第一封装材料层、双面HIT电池、第二封装材料层和后玻璃从上至下依次分布,所述接线盒安装于后玻璃边缘位置处。
优选的,所述前玻璃和后玻璃由透光率94%以上的超白压花高透钢化玻璃制成,所述超白压花高透钢化玻璃的厚度为1.8~3.2mm。
优选的,所述第一封装材料层和第二封装材料层的材料为POE。
优选的,所述双面HIT电池由六组电池串组成,每组电池串由十个电池片组成。
优选的,所述电池串中相邻电池片之间的距离为2.2~2.4mm,电池串间距为2±0.5mm。
一种 HIT双面双玻光伏组件的加工方法,包括以下加工步骤:
1)焊接:将电池片焊接成为电池串;
2)层叠:按前玻璃、第一封装材料层、双面HIT电池、第二封装材料层、后玻璃的顺序层叠;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的