[实用新型]CSP封装结构有效
申请号: | 201821736739.9 | 申请日: | 2018-10-25 |
公开(公告)号: | CN209169166U | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 罗雪方;陈文娟;瞿澄;薛水源;罗子杰 | 申请(专利权)人: | 江苏罗化新材料有限公司 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/62;H01L33/64 |
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地址: | 226300 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 电极 墙膜 本实用新型 封装结构 沉积材料 倒装芯片 金属沉积 外延生长 有效解决 出光面 荧光膜 热压 贴片 焊接 延伸 覆盖 | ||
1.一种CSP封装结构,其特征在于,包括:芯片、设置在芯片两侧并与芯片热压式连接的白墙膜、设置在所述芯片的出光面和白墙膜上的荧光膜以及覆盖在芯片的电极和白墙膜表面的沉积材料。
2.如权利要求1所述的CSP封装结构,其特征在于,所述白墙膜表面与电极对应位置处设置有容纳所述沉积材料的钻孔。
3.如权利要求2所述的CSP封装结构,其特征在于,所述电极表面处的钻孔的孔径为电极表面积的1.1~1.5倍。
4.如权利要求2所述的CSP封装结构,其特征在于,所述白墙膜的边缘设置有容纳所述沉积材料的边槽。
5.如权利要求1所述的CSP封装结构,其特征在于,所述白墙膜采用有机硅、环氧树脂和二氧化钛中的一种或两种。
6.如权利要求1所述的CSP封装结构,其特征在于,所述沉积材料采用Cu、Ni、Pt和Au中的一种或多种。
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