[实用新型]一种低噪声的运算放大器电路

权利要求书

1.一种低噪声的运算放大器电路，其特征在于，所述运算放大器电路包括相连的第一级放大器和第二级放大器，所述第二级放大器连接还连接有电流折叠子电路和尾电流源，所述电流折叠子电路和所述尾电流源分别连接于第一偏置电压和第二偏置电压；所述运算放大器电路分别通过电流折叠子电路和尾电流源为电路提供偏置电压。

2.根据权利要求1所述的低噪声的运算放大器电路，其特征在于，所述第一级放大器包括连接于偏置电源的第一PMOS管和第二PMOS管。

3.根据权利要求2所述的低噪声的运算放大器电路，其特征在于，所述第二级放大器包括第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；所述第三PMOS管和所述第四PMOS管分别连接于所述第一PMOS管和所述第二PMOS管，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管分别连接于所述第三PMOS管和所述第四PMOS管。

4.根据权利要求3所述的低噪声的运算放大器电路，其特征在于，所述第三PMOS管和所述第四PMOS管的源极均连接于所述偏置电源；所述第三PMOS管的栅极连接于所述第一PMOS管的漏极，其漏极连接于所述第二NMOS管的源极；所述第四PMOS管的栅极连接于所述第二PMOS管的漏极，其漏极连接于所述第一NMOS管的源极；所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的源极还连接于所述尾电流源，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的栅极相互连接、漏极连接于所述电流折叠子电路。

5.根据权利要求3所述的低噪声的运算放大器电路，其特征在于，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极均连接于所述偏置电源；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的漏极分别通过第一电阻和第二电阻接地；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的栅极连接于差分输入端。

6.根据权利要求3所述的低噪声的运算放大器电路，其特征在于，所述电流折叠子电路包括相互连接的第五PMOS管、第六PMOS管，以及相互连接的第七PMOS管和第八PMOS管；所述第五PMOS管连接于所述第一NMOS管，所述第六PMOS管连接于所述第二NMOS管，所述第七PMOS管连接于所述第五PMOS管，所述第八PMOS管连接于所述第六PMOS管。

7.根据权利要求6所述的低噪声的运算放大器电路，其特征在于，所述第五PMOS管的栅极与所述第六PMOS管的栅极相互连接，所述第七PMOS管的栅极与所述第八PMOS管的栅极相互连接；所述第五PMOS管的漏极连接于所述第一NMOS管的漏极，所述第五PMOS管的源极连接于所述第七PMOS管的漏极；所述第六PMOS管的漏极连接于所述第二NMOS管的漏极，所述第六PMOS管的源极连接于所述第八PMOS管的漏极；所述第七PMOS管和所述第八PMOS管的源极连接于电源。

8.根据权利要求3所述的低噪声的运算放大器电路，其特征在于，所述尾电流源包括相互连接的第三NMOS管和第四NMOS管，且所述第三NMOS管和所述第四NMOS管连接于第二偏置电压。

9.根据权利要求8所述的低噪声的运算放大器电路，其特征在于，所述第三NMOS管的漏极连接于所述第四PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的源极；所述第四NMOS管的漏极连接于所述第三PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的源极；所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的栅极相互连接并连接于所述第二偏置电压。