[实用新型]继电器触点保护及干扰抑制电路有效
| 申请号： | 201821740758.9 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN208903924U | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 董健;赵洪娟;董伟 | 申请（专利权）人： | 南京优倍电气有限公司 |
| 主分类号： | H01H47/02 | 分类号： | H01H47/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211112 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 继电器 继电器触点 电流保险丝 压敏器件 干扰抑制电路 本实用新型 触点 继电器触点保护电路 继电器驱动电路 保护继电器 继电器串联 并联连接 过流保护 使用寿命 串接 辐射 | ||
【权利要求书】：
1.继电器触点保护及干扰抑制电路，其特征在于：包括继电器触点保护电路，所述的继电器触点保护电路包括压敏器件和电流保险丝F1，压敏器件并联连接在继电器K1的两个触点之间，电流保险丝F1与继电器K1串联连接。
2.根据权利要求1所述的继电器触点保护及干扰抑制电路，其特征在于：所述的压敏器件为压敏电阻RV1或TVS管，所述的电流保险丝F1为一次性熔断保险丝或自恢复保险丝。
3.根据权利要求1或2所述的继电器触点保护及干扰抑制电路，其特征在于：所述的继电器触点保护及干扰抑制电路还包括继电器驱动电路，继电器驱动电路包括二极管D1，三极管Q1或MOSFET管Q2；三极管Q1的基极或MOSFET管Q2的栅极用于接收高电平或低电平信号，二极管D1的负极接电源，二极管D1的正极与继电器K1的线圈一端连接，三极管Q1的集电极或MOSFET管Q2的漏极与二极管D1的正极连接，三极管Q1的发射极或MOSFET管Q2的源极接地，继电器K1的线圈另一端接电源。
4.根据权利要求3所述的继电器触点保护及干扰抑制电路，其特征在于：三极管Q1的基极或MOSFET管Q2的栅极连接控制电路或单片机的IO引脚，控制电路输出高低电平用于驱动三极管Q1或MOSFET管Q2，三极管Q1或MOSFET管Q2使得继电器断开或闭合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京优倍电气有限公司，未经南京优倍电气有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821740758.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：适于多种液深的液位开关
- 下一篇：密封继电器
