[实用新型]双面双玻太阳能光伏组件有效
申请号: | 201821742256.X | 申请日: | 2018-10-26 |
公开(公告)号: | CN209374463U | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 孔国寿;樊达;方超;余新杰 | 申请(专利权)人: | 广东五星太阳能股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/05;H01L31/054;H01L31/068 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 李盛洪 |
地址: | 523000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装层 装设 焊带 太阳能电池片 前板 太阳能光伏组件 电池串层 双面电池 后板 双玻 本实用新型 高功率输出 抗老化性能 体积电阻率 反光胶膜 光伏组件 生产效率 水汽渗透 相对设置 汇流条 顶面 胶膜 焊接 背面 | ||
本实用新型公开一种双面双玻太阳能光伏组件,包括前板,与前板相对设置的后板,装设于前板下方的第一封装层,装设于后板上方的第二封装层,装设于第一封装层与第二封装层之间的电池串层,所述电池串层包括太阳能电池片,装设于太阳能电池片顶面与底面的焊带,装设于焊带朝向第一封装层的表面的反光胶膜,所述太阳能电池片为N型双面电池或P型双面电池,所述第一封装层和第二封装层为POE胶膜,其水汽渗透率低,体积电阻率高,抗老化性能高;所述汇流条的厚度为0.25mm‑0.4mm,所述焊带的厚度为0.2mm‑0.25mm,焊带易于焊接;实现光伏组件正面、背面高功率输出,提高生产效率,降低生产成本。
技术领域
本实用新型涉及光伏领域,更具体地说,是涉及一种双面双玻太阳能光伏组件。
背景技术
双玻组件较常规传统普通组件具备更强的机械性能、具有更好的耐候性、具有较低的水汽渗透、具有更好的抗PID性能、具有更长的使用寿命等优势,快速增加了其市场占用率;然而科技日新月异,光伏发电跑步迈向平价上网时代,低投入、高产出、易扩张的组件封装环节高效技术有望快速普及;随着双面PERC高效电池生产的普及,为制备更加高效的双面双玻组件准备了条件,传统的单面单玻/单面双玻组件由于单面发电,组件发电量没有得到更大的发挥。
另外申请号为201621431495.4的中国实用新型专利申请公开了一种双面双玻光伏组件,包括自上至下依次设置的前板、第一封装层、太阳能电池片层、第二封装层以及背板,所述太阳能电池片层包括N 型双面电池、设置在所述N型双面电池的上表面的第一焊带、设置在所述N型双面电池的下表面的第二焊带,所述第一焊带的上表面覆盖设置有反光带,所述反光带为粘结设置在所述第一焊带的上表面或所述第二焊带的下表面的反光带。
然而上述实用新型提供的双面双玻光伏组件,其焊带厚度>0.27mm,0.27mm厚度焊带将直接导致焊接破片大幅上升。汇流条厚度为0.4~5mm,宽度为0.8~1.0mm,不便于手工焊接,导致焊接效率低。第一封装层和第二封装层均是EVA材料,水汽渗透率高,体积电阻率低,制成双面双玻组件抗老化性能较差。接线盒安装在玻璃边缘:一方面,接线盒封装密封效果较差,水汽易渗透;一方面,接线盒易受外物接触碰撞导致破损。
实用新型内容
为克服现有技术中的上述缺陷,本实用新型提供一种水汽渗透率低,抗老化性能差,生产成本低的双面双玻太阳能光伏组件。
为实现上述目的,本实用新型提供一种双面双玻太阳能光伏组件,包括前板,与前板相对设置的后板,装设于前板下方的第一封装层,装设于后板上方的第二封装层,装设于第一封装层与第二封装层之间的电池串层,所述电池串层包括太阳能电池片,装设于太阳能电池片顶面与底面的焊带,装设于焊带朝向第一封装层的表面的反光胶膜,所述太阳能电池片为N型双面电池或P型双面电池,所述第一封装层和第二封装层为POE胶膜,所述汇流条的厚度为0.25mm-0.4mm,所述焊带的厚度为0.2mm-0.25mm。
作为优选的,还包括装设于后板上的汇流条,装设于后板底部通过汇流条连接的若干个接线盒。
作为优选的,所述汇流条的宽度为4mm-8mm。
作为优选的,所述汇流条的厚度为0.35mm,所述汇流条的宽度为6mm。
作为优选的,所述前板和后板为超白压花高透钢化玻璃。
作为优选的,所述前板和后板的厚度为1.6mm-3.2mm。
作为优选的,所述焊带的厚度为0.23mm。
作为优选的,所述后板底部开设有若干个用于安装接线盒的安装孔。
作为优选的,所述超白压花高透钢化玻璃的透光率为93.5%以上。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果在于:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的