[实用新型]光敏二极管有效
申请号: | 201821747329.4 | 申请日: | 2018-10-26 |
公开(公告)号: | CN209016076U | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 张俊攀 | 申请(专利权)人: | 深圳威斯康科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101 |
代理公司: | 深圳茂达智联知识产权代理事务所(普通合伙) 44394 | 代理人: | 夏龙 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光敏二极管 底板 管芯 本实用新型 壳体 引脚 密封腔 光敏 扁平状结构 垂直设置 管芯连接 光线接收 壳体一端 双面设置 一端设置 传统的 进光量 开口状 两侧面 射入 光照 垂直 侧面 穿过 封闭 | ||
本实用新型公开了一种光敏二极管,包括底板、光敏二极管管芯、引脚及壳体,壳体一端为开口状,壳体设置于底板上方,壳体与底板形成一个封闭的密封腔,光敏二极管管芯设置于密封腔内,光敏二极管管芯为扁平状结构,光敏二极管管芯垂直设置于底板上方,光敏二极管管芯两侧面均设有具有光敏特征的PN结,光敏二极管管芯设有PN结的侧面与底板相互垂直,引脚一端穿过底部与光敏二极管管芯连接,引脚另一端设置于底板下方。本实用新型提供了一种光敏二极管,相比传统的光敏二极管,本实用新型所公开的光敏二极管管芯双面设置具有光敏特征的PN结,可以满足对不同方向射入的光线接收,增加了光敏二极管PN结的光照面积,从而提高了光敏二极管的进光量。
技术领域
本实用新型涉及光电元器件技术领域,尤其涉及一种光敏二极管。
背景技术
光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其光敏二极管管芯是一个具有光敏特征的PN结,具有单向导电性,因此工作时需加上反向电压。无光照时,有很小的饱和反向漏电流,即暗电流,此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加,形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。光敏二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大,以便接收入射光。光的强度越大,反向电流也越大。
现有的光敏二极管在结构设置上,通常直接将光敏二极管光敏二极管管芯直接设置于底板上,再在光敏二极管管芯上方设置透明壳体,通过透明壳体接受光照。现有的结构中,光敏二极管所能接受到的光照面积只有光敏二极管光敏二极管管芯的上表面,在实用过程中,所能接受到的光照面积相对较小,因此所能接受到的光强度较小,导致光敏二极管的反向电流不大,影响到光敏二极管的作用。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种光敏二极管,增加光敏二极管的光照面积,增加接收入射光线,使光敏二极管更加灵敏。
本实用新型公开的光敏二极管所采用的技术方案是:
一种光敏二极管,包括底板、光敏二极管管芯、引脚及壳体,所述壳体一端为开口状,所述壳体设置于底板上方,所述壳体与底板形成一个封闭的密封腔,所述光敏二极管管芯设置于密封腔内,所述光敏二极管管芯为扁平状结构,所述光敏二极管管芯垂直设置于底板上方,所述光敏二极管管芯两侧面均设有具有光敏特征的PN结,所述光敏二极管管芯设有PN结的侧面与底板相互垂直,所述引脚一端穿过底部与光敏二极管管芯连接,所述引脚另一端设置于底板下方。
作为优选方案,所述壳体采用透明绝缘材料制成。
作为优选方案,所述壳体顶部为半球型结构。
作为优选方案,所述底板靠近光敏二极管管芯开设有弧形凹槽。
作为优选方案,所述光敏二极管管芯位于弧形凹槽底部中心。
作为优选方案,所述底板远离壳体一端设有若干个散热鳍片。
本实用新型公开的光敏二极管的有益效果是:光敏二极管管芯为片状结构,且光敏二极管管芯两侧面均设有具有光敏特征的PN结,通过垂直设置于底板上方。相比传统的光敏二极管,本实用新型所公开的光敏二极管管芯双面设置具有光敏特征的PN结,可以满足对不同方向射入的光线接收,增加了光敏二极管PN结的光照面积,从而提高了光敏二极管的进光量。
附图说明
图1是本实用新型光敏二极管的正面剖视图。
图2是本实用新型光敏二极管的侧面剖视图。
具体实施方式
下面结合具体实施例和说明书附图对本实用新型做进一步阐述和说明:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳威斯康科技有限公司,未经深圳威斯康科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821747329.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种硅基异质结太阳能电池
- 下一篇:一种室温下工作的GaN核辐射探测器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的