[实用新型]一种过压保护芯片的版图结构

说明书

本实用新型公开了一种过压保护芯片的版图结构，包括第一版图区域，第二版图区域，第三版图区域，第四版图区域，第五版图区域，第六版图区域。本实用新型的一种过压保护芯片的版图结构在充分考虑模块内，模块间和通道间的匹配设计和相互干扰，数字电路模块对模拟电路模块的影响以及温度分布对各模块影响的前提下，通过对芯片版图的合理布局和各版图区的合理设计，更好的实现了过压保护芯片的电路功能，使得设计得到的芯片功耗低，内阻小，产生的热量少，从而有效地节省了电路板的空间和成本，延长了系统的使用寿命。

技术领域

本实用新型属于芯片版图布局技术领域，具体涉及一种过压保护芯片的版图结构。

背景技术

随着科技的进步，消费类电子的普及，过压保护(OVP)芯片用于保护后续电路免受瞬间高压的破坏，对于延长设备的使用寿命具有积极作用。因此本实用新型专利旨在兼顾OVP性能的前提下，合理分配信号通路，优化版图布局，使得版图布局具有最小面积，为整个系统节约了成本和空间。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种过压保护芯片的版图结构，在兼顾OVP性能的前提下，合理分配信号通路，优化版图布局，降低芯片成本。

为实现上述目的，本实用新型提供的版图结构，其特征在于，包括第一版图区域,第二版图区域，第三版图区域，第四版图区域，第五版图区域，第六版图区域，所述第一版图区域对应模块(1)位于版图的下半部分，所述第二版图区域对应模块(2)位于版图的左侧中间部分，所述第三版图区域对应模块(3)位于版图的中间部分，所述第四版图区域对应模块(4)位于版图的右上部分，所述第五版图区域对应模块(5)位于版图的上方中间部分，所述第六版图区域对应模块(6)位于版图的左上部分。

所述第一版图区域为POWERMOS版图区，用于产生输出，为后续供电。

所述第二版图区域为电荷泵版图区，用于产生N型POWERMOS管的控制电压。

所述第三版图区域为高低压转换接口电路版图区，采用P型阱环隔离同时避免高压金属线在场区产生的反型区。

所述第四版图区域为基准电路版图区，用于产生其他各区域需要的电压，电流信号。

所述第五版图区域为使能，修调电路版图区，用于产生使能信号，以及放置修调电阻。

所述第六版图区域为OVLO电路版图区，用于判断OVLO电压是否超过设定电压，如超过则关断powermos输出，实现芯片过压保护的基本功能。

由此可见，本实用新型的过压保护芯片的版图结构在充分考虑模块内，模块间和通道间的相互干扰以及温度分布对各模块影响的前提下，通过对芯片的版图结构的合理布局和各版图区的合理设计，更好的实现了过压保护芯片的电路功能，使得设计得到的芯片功耗更低，内阻更小且产生的热量更少，从而有效地节省了电路板空间和成本。

附图说明

图1是本OVP芯片的电路结构框图。

图2是本实用新型的一种过压保护芯片的版图结构的结构示意图。

图3是本实用新型的一种过压保护芯片的版图结构的第一版图区域的布局布线实例图。

图4是本实用新型的一种过压保护芯片的版图结构的第二版图区域的布局布线实例图。

图5是本实用新型的一种过压保护芯片的版图结构的第三版图区域的布局布线实例图。

图6是本实用新型的一种过压保护芯片的版图结构的第四版图区域的布局布线实例图。

图7是本实用新型的一种过压保护芯片的版图结构的第五版图区域的布局布线实例图。

图8是本实用新型的一种过压保护芯片的版图结构的第六版图区域的布局布线实例图。