[实用新型]一种改进了分压环顶角的VDMOS有效
| 申请号： | 201821757627.1 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN208753330U | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 林美玉 | 申请（专利权）人： | 广州市力驰微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州高新技术产*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分压环 顶角 主结 顶角区域 微电子技术领域 球面 本实用新型 传统工艺 芯片成本 工步 耐压 直道 制程 相等 改进 兼容 芯片 优化 | ||
【权利要求书】：
1.一种改进了分压环顶角的VDMOS，它包括四个顶角区域、四个直道区域和一个主结，其特征在于：至少一个顶角区域中其各个分压环的半径与主结的半径相等或者至少一个分压环的半径大于主结的半径且小于主结半径的倍。
2.根据权利要求1所述的一种改进了分压环顶角的VDMOS，其特征在于：所述四个顶角区域的分压环的半径与主结的半径相等。
3.根据权利要求1所述的一种改进了分压环顶角的VDMOS，其特征在于：所述四个顶角区域中的三个的分压环的半径与主结的半径相等。
4.根据权利要求1所述的一种改进了分压环顶角的VDMOS，其特征在于：所述四个顶角区域中的二个的分压环的半径与主结的半径相等。
5.根据权利要求1所述的一种改进了分压环顶角的VDMOS，其特征在于：所述四个顶角区域中的一个的分压环的半径与主结的半径相等。
6.根据权利要求1所述的一种改进了分压环顶角的VDMOS，其特征在于：所述四个顶角区域中的其中一个分压环的半径大于主结的半径且小于主结半径的倍。
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