[实用新型]一种半导体结构有效
| 申请号： | 201821761898.4 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN208835056U | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 吴娅妮;于宝庆 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 支撑结构层 绝缘层 牺牲层 存储节点接触塞 半导体结构 衬底 本实用新型 刻蚀 制备电容器 高深宽比 中间结构 阻抗问题 高电阻 暴露 可用 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底；
绝缘层，设置于所述衬底上；
存储节点接触塞，设置于所述绝缘层中，并与所述衬底相接；
第一支撑结构层，设置于所述绝缘层上，在所述第一支撑结构层中开设有第一孔，所述存储节点接触塞暴露于所述第一孔；
牺牲层，设置于所述第一孔中并覆盖所述存储节点接触塞；以及
第二支撑结构层，设置于所述第一支撑结构层上，在所述第二支撑结构层中开设有第二孔，所述牺牲层暴露于所述第二孔。
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述存储节点接触塞贯穿所述绝缘层，所述存储节点接触塞包括第一表面及与所述第一表面相对设置的第二表面，所述第一表面与所述衬底相接触，所述第二表面暴露于所述第一孔。
3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一支撑结构层包括第一支撑层和第一介质层，所述第一支撑层设置于所述绝缘层上，所述第一介质层设置于所述第一支撑层上。
4.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述第一支撑层为氮化硅层，所述第一介质层为氧化层。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的结构，其特征在于，所述第二支撑结构层包括多个支撑层和多个介质层，每个所述介质层夹设于两个所述支撑层之间。
6.根据权利要求5所述的结构，其特征在于，所述第二支撑结构层包括依次叠置的第二支撑层、第二介质层、第三支撑层、第三介质层和顶部支撑层，所述第二支撑结构层通过所述第二支撑层设置于所述第一支撑结构层上。
7.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，所述第二支撑层、所述第三支撑层和所述顶部支撑层均为氮化硅层，所述第二介质层、所述第三介质层均为氧化物层。
8.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述牺牲层的高度等于所述第一支撑结构层的高度。
9.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述牺牲层的高度为500～1500nm。
10.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一孔与所述第二孔相连通组成第三孔，所述第三孔的深宽比大于8:1。
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