[实用新型]一种垂直腔面发射激光芯片

说明书

本实用新型提供了一种垂直腔面发射激光芯片，包括衬底、依次位于衬底第一表面的N型DBR层、第一氧化层、MQW层、第二氧化层和P型DBR层；第一氧化层包括位于中心的第一未氧化区和位于第一未氧化区四周的第一氧化区；第二氧化层包括位于中心的第二未氧化区和位于第二未氧化区四周的第二氧化区；其中，第一氧化区和第二氧化区不导电，且第一未氧化区的面积小于第二未氧化区的面积。由于第一未氧化区的面积小于第二未氧化区的面积，因此，使得电流在第二未氧化区横向扩展，从而使得电流从第二未氧化区均匀流向第一未氧化区，进而增大了靠近VCSEL芯片中心区域的电流密度，减小了VCSEL芯片的半波宽。

技术领域

本实用新型涉及光电技术领域，更具体地说，涉及一种垂直腔面发射激光芯片。

背景技术

VCSEL(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，垂直腔面发射激光)芯片，因具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉和易集成为大面积阵列等优点，而被广泛应用在光通信、光互连和光存储等领域。但是，现有的VCSEL芯片的半波宽仍较大，不利于VCSEL芯片在特殊通信领域的应用。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种垂直腔面发射激光芯片，以减小VCSEL芯片的半波宽。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种垂直腔面发射激光芯片，包括衬底、依次位于所述衬底第一表面的N型DBR层、第一氧化层、MQW层、第二氧化层和P型DBR层；

所述第一氧化层包括位于中心的第一未氧化区和位于所述第一未氧化区四周的第一氧化区；所述第二氧化层包括位于中心的第二未氧化区和位于所述第二未氧化区四周的第二氧化区；

其中，所述第一氧化区和所述第二氧化区不导电，且所述第一未氧化区的面积小于所述第二未氧化区的面积。

可选地，在垂直于所述衬底的方向上，所述第二未氧化区的投影完全覆盖所述第一未氧化区的投影。

可选地，所述第一氧化层中Al离子的含量大于所述第二氧化层中Al离子的含量，以使所述第一未氧化区的面积小于所述第二未氧化区的面积。

与现有技术相比，本实用新型所提供的技术方案具有以下优点：

本实用新型所提供的垂直腔面发射激光芯片，由于第一未氧化区的面积小于第二未氧化区的面积，因此，使得电流在第二未氧化区横向扩展，从而使得电流从第二未氧化区均匀流向第一未氧化区，进而增大了靠近VCSEL芯片中心区域的电流密度，减小了VCSEL芯片的半波宽。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为现有的一种垂直腔面发射激光芯片的剖面结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种垂直腔面发射激光芯片的剖面结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的第一氧化层的平面结构示意图。

具体实施方式

正如背景技术所述，现有的VCSEL芯片的半波宽较大。如图1所示，实用新型人研究发现，造成这一问题的原因是，电流从负电极10流向正电极11的过程中，由于电流走最短路径效应，导致电流在氧化层12的未氧化区的边缘区域(虚线框内)过于集中，导致未氧化区中心区域的电流密度较小，进而导致芯片出射的激光的波长有一定差异，导致半波宽较大。