[实用新型]扩散炉管及扩散炉

说明书

本实用新型涉及半导体制造设备技术领域，公开一种扩散炉管及扩散炉，扩散炉管包括：炉管本体，内部形成硅片进行扩散反应的工艺腔室，工艺腔内设有用于供硅片经过的硅片流通区；至少一部分位于工艺腔室内的气体输送部件，用于将扩散气体输送至炉管本体内；气体输送部件位于工艺腔室内的部分包括预热段和排气段，排气段上设有至少一个排气孔组，每一个排气孔组包括至少一个排气孔。上述扩散炉管可以用于缓解或消除炉管进气口处的气流紊乱现象。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造设备技术领域，特别涉及扩散炉管及扩散炉。

背景技术

扩散炉管是半导体器件及大规模集成电路制造过程中对硅片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺的一种加工装置。

现有的扩散炉管中，外界的扩散气体进入炉管后，受热膨胀，流速增加，炉管的进气口处会出现一段气流紊乱现象，影响炉管工艺腔室内的对硅片进行扩散的质量和效率，影响产能。

实用新型内容

本实用新型公开了一种扩散炉管，用于缓解或消除炉管进气口处的气流紊乱现象。

为达到上述目的，本实用新型提供以下技术方案：

一种扩散炉管包括：

炉管本体，内部形成硅片进行扩散反应的工艺腔室，所述工艺腔内设有用于供硅片经过的硅片流通区；

至少一部分位于所述工艺腔室内的气体输送部件，用于将扩散气体输送至所述炉管本体内；

所述气体输送部件位于所述工艺腔室内的部分包括预热段和排气段，所述排气段上设有至少一个排气孔组，每一个所述排气孔组包括至少一个排气孔。

在上述的扩散炉管中，扩散气体通过气体输送部件输送至炉管本体内的过程中，先经过预热段，工艺腔室内的气体温度高于预热段内扩散气体的温度，预热段内的扩散气体被工艺腔室内的气体加热至合适温度，扩散气体继续流动至排气段，并经排气孔组流至工艺腔室内，以对工艺腔室内的硅片进行扩散，由于扩散气体在预热段已经被加热，扩散气体的温度与工艺腔室内的温度差值缩小，有效缓解甚至消除炉管进气口处的气流紊乱现象，保证产品质量和生产效率。

优选地，所述气体输送部件包括导气管组件，导气管组件包括至少一个导气管；

所述导气管设置于所述炉管本体的内侧壁、且沿所述炉管本体的轴向延伸；

所述导气管的排气段内设有多个沿所述导气管的长度方向分布的多个排气孔组。

优选地，所述导气管组件包括多个所述导气管，其中，一部分导气管设置于所述工艺腔室的顶部，另一部分导气管设置于所述工艺腔室的底部。

优选地，每个所述排气孔组中的各所述排气孔的出气方向均避开所述硅片流通区。

优选地，所述导气管与所述炉管本体的内侧壁之间设有间隙，一个所述排气孔组包括至少一个出气方向朝向所述炉管本体内侧壁的第一排气孔。

优选地，所述排气孔组还包括第二排气孔；

沿所述导气管的周向，每个所述第一排气孔的至少一侧设置所述第二排气孔。

优选地，所述第一排气孔一侧的第二排气孔的数量为多个，且多个所述第二排气孔沿所述导气管的轴向间隔设置。

优选地，所述第二排气孔的孔径为4～6mm。

优选地，所述扩散炉管还包括炉门和绝热堵头，所述炉门设置于所述炉管本体的出气端，所述绝热堵头设置于所述炉门的内侧壁。

本实用新型的另一个目的在于提供一种扩散炉，用于消除炉管进气口处的气流紊乱现象。

为达到上述目的，本实用新型提供以下技术方案：