[实用新型]封装堆叠结构

说明书

本实用新型实施例公开了一种封装堆叠结构，包括：基板、第一芯片、第二芯片、第一储存芯片、第二储存芯片、控制芯片和空间垫片。第一芯片通过粘片膜叠设在基板上，并通过多根金线与基板电性连接。控制芯片通过粘片膜叠设在基板上，控制芯片通过多根金线与基板电性连接。空间垫片通过粘片膜叠设在控制芯片的上表面。第一储存芯片通过粘片膜叠设在第一芯片和空间垫片的上表面，并通过多根金线与基板电性连接。第二储存芯片通过粘片膜叠设在第一储存芯片的上表面，并通过多根金线与基板电性连接。第二芯片通过粘片膜叠设在第二储存芯片上，并通过多根金线与基板电性连接，从而实现不使用FOW膜实现两层芯片的封装堆叠，且不增加封装结构的厚度。

技术领域

本实用新型实施例涉及半导体封装领域，尤其涉及一种封装堆叠结构。

背景技术

当前行业内使用两层芯片进行堆叠时，通常将两层芯片进行连续堆叠，由于需要在芯片上方设置金线连接点，通过金线与基板形成电性连接，为了使上层的芯片不影响下层芯片设置金线连接点，两层芯片之间通常使用线上可流动膜(FOW膜)粘结材料，提供芯片之间的低应力结合，在金线键合过程中保证芯片在对应位置上不发生移动，控制两层芯片之间的空隙高度，避免不同芯片间金线键合相互挤压。另外，通过在两层芯片之间设置支撑结构，从而使两层芯片之间预留空隙，保证两层芯片的上方均可以设置金线连接点。

本申请的发明人发现，现有技术中，采用FOW膜材料封装，由于FOW膜材料价格昂贵，使封装结构的成本大幅上升。通过支撑结构封装时，会使封装结构厚度增加，不利于电子产品的轻薄化。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种封装堆叠结构，不使用FOW膜实现两层芯片的封装堆叠，且不增加封装结构的厚度。

本实用新型实施例提供一种，封装堆叠结构，包括：基板、第一芯片、第二芯片、第一储存芯片、第二储存芯片、控制芯片和空间垫片；

所述第一芯片通过第一粘片膜叠设在所述基板的上表面，并通过多根第一金线与所述基板电性连接；

所述控制芯片通过第二粘片膜叠设在所述基板的上表面，且与所述第一芯片平行设置，所述控制芯片通过多根第二金线与所述基板电性连接；

所述空间垫片通过第三粘片膜叠设在所述控制芯片的上表面，且所述空间垫片的上表面与所述第一芯片的上表面位于同一水平面；

所述第一储存芯片通过第四粘片膜和第五粘片膜分别叠设在所述第一芯片和所述空间垫片的上表面，并通过多根第三金线与所述基板电性连接；

所述第二储存芯片通过第六粘片膜叠设在所述第一储存芯片的上表面，并通过多根第四金线与所述基板电性连接；

所述第二芯片通过第七粘片膜叠设在所述第二储存芯片的上表面，并通过多根第五金线与所述基板电性连接；

通过将第二芯片与第一芯片分隔堆叠形成的封装堆叠结构，从而避免使用FOW膜而实现两层芯片的封装堆叠，且不增加封装结构的厚度。

在一种可行的方案中，所述第一芯片与所述第一储存芯片之间形成两个对称的第一台阶；

所述第一台阶处分别设有多个第一金线连接点；

所述多根第一金线的一端分别与各所述第一金线连接点连接，另一端与所述基板连接，使所述第一芯片与所述基板电性连接；

第一台阶可以保证第一芯片的上表面两端均可以设置多个第一金线连接点，避免上层的第一储存芯片挤压多根第一金线。

在一种可行的方案中，所述空间垫片与所述控制芯片之间形成两个相互对称的第二台阶；

所述两个第二台阶处分别设有多个第二金线连接点；