[实用新型]像素驱动电路及显示装置有效
申请号: | 201821768782.3 | 申请日: | 2018-10-29 |
公开(公告)号: | CN209056270U | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 李雪 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3258 | 分类号: | G09G3/3258 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;王中华 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 补偿模块 像素驱动电路 复位模块 发光控制信号 复位控制信号 电性连接 发光模块 显示装置 阈值电压 接收数据信号 本实用新型 补偿电压 接收扫描 扫描信号 显示画面 有效补偿 复位 发光 | ||
1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括:复位模块(1)、与所述复位模块(1)电性连接的补偿模块(2)和与所述补偿模块(2)电性连接的发光模块(3);
所述复位模块(1)用于接收复位控制信号(Reset)并在复位控制信号(Reset)的控制下复位所述补偿模块(2);
所述补偿模块(2)用于接收扫描信号(Scan)并在扫描信号(Scan)的控制下接收数据信号(Data)和补偿电压(Vi)并进行阈值电压的补偿;
所述发光模块(3)用于接收发光控制信号(EM)并在发光控制信号(EM)的控制下发光。
2.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述补偿模块(2)包括:第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)及存储电容(C1);
所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极接收扫描信号(Scan),源极电性连接第一节点(G),漏极电性连接第二节点(C);
所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接收扫描信号(Scan),源极接收补偿电压(Vi),漏极电性连接第三节点(B);
所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接收扫描信号(Scan),源极接收数据信号(Data),漏极电性连接第四节点(A);
所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接第一节点(G),源极电性连接第二节点(C),漏极电性连接第三节点(B);
所述存储电容(C1)的两端分别电性连接第一节点(G)和第四节点(A);
所述复位模块(1)与所述第一节点(G)和第四节点(A)电性连接,所述发光模块(3)与第二节点(C)、第三节点(B)及第四节点(A)电性连接。
3.如权利要求2所述的像素驱动电路,其特征在于,所述复位模块(1)包括第五薄膜晶体管(T5);
所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极接收复位控制信号(Reset),源极电性连接第一节点(G),漏极电性连接第四节点(A)。
4.如权利要求3所述的像素驱动电路,其特征在于,所述发光模块(3) 包括:第六薄膜晶体管(T6)、第七薄膜晶体管(T7)、第八薄膜晶体管(T8)及电致发光元件(D1);
所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极接收发光控制信号(EM),源极接收电源高电压(Vdd),漏极电性连接第三节点(B);
所述第七薄膜晶体管(T7)的栅极接收发光控制信号(EM),源极电性连接第二节点(C),漏极电性连接电致发光元件(D1)的阳极;
所述第八薄膜晶体管(T8)的栅极接收发光控制信号(EM),源极电性连接第三节点(B),漏极电性连接第四节点(A);
所述电致发光元件(D1)的阴极接收电源低电压(Vss)。
5.如权利要求4所述的像素驱动电路,其特征在于,所述电致发光元件(D1)为有机发光二极管。
6.如权利要求4所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第七薄膜晶体管(T7)及第八薄膜晶体管(T8)为非晶硅薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管或金属氧化物半导体薄膜晶体管。
7.如权利要求4所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第七薄膜晶体管(T7)及第八薄膜晶体管(T8)为N型薄膜晶体管。
8.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述复位控制信号(Reset)、扫描信号(Scan)及发光控制信号(EM)均与外部时序控制器电性连接。
9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至8任一项所述的像素驱动电路。
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