[实用新型]MEMS设备和电子装置有效
| 申请号： | 201821772595.2 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN209367796U | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | D·帕奇;M·费雷拉;A·皮科 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81B3/00;B81C1/00;H01L41/09 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一表面 可变形 凹槽结构 第二表面 电子装置 隔膜腔 延伸 本实用新型 压电致动器 止动器 界定 | ||
1.一种MEMS设备，其特征在于，包括：
主体，具有第一表面和第二表面以及在所述第一表面和所述第二表面之间的第一厚度；
腔体，在所述主体中并且从所述第二表面延伸到所述主体中，所述腔体由所述主体的壁界定；
在所述主体中、在所述第一表面和所述腔体之间的可变形部分；
在所述可变形部分上的压电致动器；以及
凹槽，在所述腔体处在所述主体的所述壁内并且形成所述主体的柔性部分，所述主体的所述柔性部分在所述可变形部分和所述凹槽之间，其中所述主体的所述柔性部分被配置为当大于特定阈值的力被施加到所述可变形部分时弯折。
2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述主体包括结构层和半导体材料的基底，其中所述基底具有第二厚度，所述结构层在所述基底之上延伸并且限定所述第一表面，所述可变形部分被形成在所述结构层中，并且所述腔体是所述基底中的贯穿开口。
3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述腔体具有四边形形状，并且其中所述凹槽是环形形状的凹槽或者多边形形状的凹槽。
4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述凹槽由多个延伸部形成，所述多个延伸部以彼此相距45°的角距离延伸。
5.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述压电致动器由圆柱形状的区域、中空圆柱形状的区域或平行六面体形状的区域选择性地形成。
6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，所述压电致动器是多个致动器，所述多个致动器以彼此间隔45°成角度地延伸。
7.一种电子装置，其特征在于，包括：
MEMS设备，包括：
半导体主体，具有第一表面和第二表面以及贯穿开口，所述贯穿开口从所述第一表面和所述第二表面延伸，其中所述贯穿开口的壁包括邻近所述第一表面的凹槽，其中所述凹槽在所述第一表面处形成所述半导体主体的柔性部分；
可变形层，在所述半导体主体的所述第一表面上并且在所述贯穿开口之上，所述可变形层和所述贯穿开口形成腔体；以及
压电致动器，在所述可变形层上；以及
ASIC，被耦合到所述MEMS设备。
8.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，进一步包括：
存储器块；
输入/输出接口；以及
微处理器，被耦合到所述ASIC、所述存储器块和所述输入/输出接口。
9.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述MEMS设备的所述贯穿开口和所述凹槽彼此同心。
10.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述半导体主体的所述柔性部分被配置为当大于特定阈值的力被施加到所述可变形部分时弯折。
11.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述凹槽围绕所述贯穿开口的所述壁的周界延伸。
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