[实用新型]薄膜晶体管阵列基板及显示装置

说明书

本实用新型提供一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置,该薄膜晶体管阵列基板包括基板；形成于基板上的底栅极；形成于底栅极和基板上的第一绝缘层；形成于第一绝缘层上且位于底栅极上方的有源层；形成于有源层两侧的源极以及漏极；形成于第一绝缘层、有源层、源极以及漏极上的第二绝缘层；形成于第二绝缘层上且位于有源层上方的顶栅极；其中，有源层包括氢化非晶硅层、掺杂非晶硅层以及位于氢化非晶硅层与掺杂非晶硅层之间的氯化非晶硅层。本实用新型提供一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置，在提升开态电流的同时降低了漏电流，提高了像素开关的基本性能。

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置。

背景技术

随着消费者对电子产品其性能的要求不断提升，开发高对比、高亮度、宽视角、低功耗、窄边框的产品，已成为面板厂所面临的重要问题。

而充当像素开关的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，其性能是影响开发的主要限制因素。传统非晶硅TFT的电子迁移率只有0.3～1cm²/V·s，电子迁移率较小，从而导致TFT的响应速度较慢，影响TFT的开关速度，为了使TFT获得更高的电子迁移率，需要在设计TFT时增大有源层的尺寸，然而，这种方法无法保证TFT的可靠性并且会导致阵列基板的边框区域的面积也增大，不利于显示装置向窄边框趋势发展。

实用新型内容

鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置，以解决传统非晶硅TFT中电子迁移率较低，而导致薄膜晶体管的响应速度较慢、影响TFT开关速度的问题。

为实现上述目的，本实用新型首先提供一种薄膜晶体管阵列基板,所述薄膜晶体管阵列基板包括基板；形成于所述基板上的底栅极；形成于所述底栅极和所述基板上的第一绝缘层；形成于所述第一绝缘层上且位于所述底栅极上方的有源层；形成于所述有源层两侧的源极以及漏极；形成于所述第一绝缘层、所述有源层、所述源极以及所述漏极上的第二绝缘层；形成于所述第二绝缘层上且位于所述有源层上方的顶栅极；其中，所述有源层包括氢化非晶硅层、掺杂非晶硅层以及位于所述氢化非晶硅层与所述掺杂非晶硅层之间的氯化非晶硅层。

进一步地，所述氢化非晶硅层、所述氯化非晶硅层和所述掺杂非晶硅层在所述第一绝缘层上依次沉积形成。

进一步地，所述氢化非晶硅层形成于所述第一绝缘层上，对所述氢化非晶硅层的上部分进行氯离子布植，以形成氯化非晶硅层，所述掺杂非晶硅层形成于所述氯化非晶硅层上。

进一步地，所述薄膜晶体管阵列基板还包括形成于所述第二绝缘层上的平坦层，所述平坦层设有贯穿所述平坦层的第一过孔，以露出位于所述源极和所述漏极上方的所述第二绝缘层；形成于所述平坦层上的第一电极层；形成于所述第一电极层、所述平坦层、所述第二绝缘层和所述顶栅极上的第三绝缘层；形成于所述第三绝缘层上的第二电极层。

进一步地，所述第一电极层为公共电极，所述第二电极层为像素电极，所述第二绝缘层和所述第三绝缘层上贯穿设置有第二过孔，以露出部分所述漏极，所述第二电极层经由所述第二过孔与所述漏极导电接触。

进一步地，所述薄膜晶体管阵列基板还包括形成于所述第二绝缘层上的平坦层，所述平坦层设有贯穿所述平坦层的第一过孔，以露出位于所述源极和所述漏极上方的所述第二绝缘层；形成于所述平坦层和所述第二绝缘层上的第一电极层；形成于所述第一电极层、所述平坦层、所述第二绝缘层和所述顶栅极上的第三绝缘层；形成于所述第三绝缘层上的第二电极层。

进一步地，所述第一电极层为像素电极，所述第二电极层为公共电极，所述第二绝缘层设有第三过孔，所述第一电极层经由所述第三过孔与所述漏极导电接触。

进一步地，所述顶栅极与所述第二绝缘层之间还夹设有导电层，所述导电层与所述第一电极层相互绝缘且材质相同，所述导电层、所述第一电极层和所述顶栅极通过半色调光罩一次性制作形成。