[实用新型]一种移相电路有效

专利信息
申请号: 201821779100.9 申请日: 2018-10-30
公开(公告)号: CN209199111U 公开(公告)日: 2019-08-02
发明(设计)人: 吴子勇;王太忠;杨正明;冯汉炯;于波 申请(专利权)人: 深圳市航天华拓科技有限公司;深圳航天科技创新研究院
主分类号: G06K7/10 分类号: G06K7/10;H03H11/16
代理公司: 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 代理人: 彭海民
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 移相功能 分电路 读写器 射频信号 移相电路 主控电路 电路 两路 连接接口 本实用新型 独立设置 连续调节 输入功率 相位移动 调控
【权利要求书】:

1.一种移相电路,其特征在于,所述移相电路包括主控电路、读写器、功分电路及两路独立设置的移相功能电路;

所述读写器与所述功分电路连接,所述移相功能电路的第一接口与所述功分电路连接,所述移相功能电路的第二接口与所述主控电路连接。

2.根据权利要求1所述的移相电路,其特征在于,所述读写器为射频识别RFID读写器,所述RFID读写器与所述功分电路的射频接口连接。

3.根据权利要求1所述的移相电路,其特征在于,所述移相功能电路包括耦合器、第一压控电路及第二压控电路,所述第一压控电路与所述第二压控电路均与所述耦合器连接;

所述第一压控电路包括第一可变二极管、第二可变二极管及第一电阻,所述第一可变二极管与所述第二可变二极管串联,所述第一可变二极管及所述第二可变二极管的串联电路与所述第一电阻并联;其中,所述第一可变二极管的正极与所述耦合器连接,所述第一可变二极管的负极与所述第一可变二极管的负极连接;

所述第二压控电路包括第三可变二极管、第四可变二极管及第二电阻,所述第三可变二极管与所述第四可变二极管串联,所述第三可变二极管及所述第四可变二极管的串联电路与所述第二电阻并联;其中,所述第三可变二极管的正极与所述耦合器连接,所述第三可变二极管的负极与所述第四可变二极管的负极连接。

4.根据权利要求3所述的移相电路,其特征在于,所述第一压控电路还包括第一电感,所述第一电感与所述第一电阻串联;

所述第二压控电路还包括第二电感,所述第二电感与所述第二电阻串联。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的移相电路,其特征在于,所述主控电路包括STM32F系列芯片。

6.根据权利要求5所述的移相电路,其特征在于,所述主控电路为STM32F103芯片。

7.根据权利要求1至4任意一项所述的移相电路,其特征在于,所述主控电路包括现场可编程逻辑门阵列FPGA主控芯片与数字模拟转换器DAC,所述FPGA主控芯片与所述DAC独立设置。

8.根据权利要求1至4任意一项所述的移相电路,其特征在于,所述功分电路为威尔金森功分器电路。

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