[实用新型]显示屏及显示终端有效
申请号: | 201821784644.4 | 申请日: | 2018-10-31 |
公开(公告)号: | CN208861990U | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 李高敏;楼均辉;安乐平;宋艳芹;张露;唐静 | 申请(专利权)人: | 昆山维信诺科技有限公司;云谷(固安)科技有限公司;昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/33 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示面板 显示区 显示屏 隔离结构 显示终端 本实用新型 静态画面 电场 屏显示 隔离 | ||
1.一种显示屏,其特征在于,具有相邻的第一显示区和第二显示区;所述第一显示区和所述第二显示区均用于显示动态或者静态画面;所述显示屏包括:
第一显示面板,设置于所述第一显示区;
第二显示面板,设置于所述第二显示区;以及
隔离结构;所述隔离结构形成于所述第一显示面板和所述第二显示面板之间,用于将所述第一显示面板和所述第二显示面板之间的电场进行隔离。
2.根据权利要求1所述的显示屏,其特征在于,所述第一显示面板包括第一导电走线层;所述第二显示面板包括第二导电走线层;所述隔离结构位于所述第一导电走线和所述第二导电走线之间,且与所述第一导电走线层或者所述第二导电走线层位于同一层;或者所述第一导电走线层、所述第二导电走线层和所述隔离结构位于同一层;
所述隔离结构的材质为导电材质,或者所述隔离结构的材质为钼铝钼、氧化铟锡、钛铝钛、银或铝。
3.根据权利要求2所述的显示屏,其特征在于,所述隔离结构与所述第一导电走线层或者所述第二导电走线层在同一工艺步骤中形成以使得所述隔离结构和所述第一导电走线层或者所述第二导电走线层位于同一层;或者
所述隔离结构、所述第一导电走线层和所述第二导电走线层在同一工艺步骤中形成以使得所述隔离结构、所述第一导电走线层和所述第二导电走线层位于同一层。
4.根据权利要求3所述的显示屏,其特征在于,所述第二导电走线为波浪形走线;和/或所述第一导电走线为波浪形走线;在波浪形走线的延伸方向上,所述波浪形走线的宽度连续变化或者间断变化。
5.根据权利要求1所述的显示屏,其特征在于,所述隔离结构的厚度为0.1纳米~10000纳米;和/或
所述隔离结构与显示屏的地线连接,和/或还包括柔性电路板;所述柔性电路板连接于所述隔离结构和所述显示屏的地线之间。
6.根据权利要求1所述的显示屏,其特征在于,所述第二显示面板的各结构膜层材料的透光率大于90%,所述第二显示面板下可设置感光元件。
7.根据权利要求1所述的显示屏,其特征在于,所述第二显示面板为PMOLED显示面板;所述第二显示面板包括基板以及形成于所述基板上的多个波浪形的第一电极;所述第一电极为阴极或者阳极;多个所述第一电极沿相同的方向并行延伸,且相邻的第一电极具有间距;在所述第一电极的延伸方向上,所述第一电极的宽度连续变化或间断变化,且所述间距连续变化或间断变化;和/或所述第二显示面板中的子像素形状为圆形、椭圆形或者哑铃形。
8.根据权利要求1所述的显示屏,其特征在于,所述第二显示面板为AMOLED显示面板或者类AMOLED显示面板;所述第二显示面板包括基板以及形成于所述基板上的多个相互独立的第一电极;所述第一电极为阳极;每个第一电极对应一个发光结构;所述第一电极为圆形、椭圆形或者哑铃形;和/或所述第一显示面板中的子像素形状为圆形、椭圆形或者哑铃形。
9.一种显示屏,具有相邻的第一显示区和第二显示区;所述第一显示区和所述第二显示区均用于显示动态或者静态画面;其特征在于,所述显示屏包括:
第一显示面板,设置于所述第一显示区;所述第一显示面板为AMOLED显示面板;以及
第二显示面板,设置于所述第二显示区;
所述第一显示面板设置有覆盖所述第一显示区的参考电压层;所述参考电压层与所述第一显示面板的阴极连接;所述显示屏还包括设置于边框区或者设置于所述边框区和所述第二显示区交界处的导电连接线;所述导电连接线与所述参考电压层连接,以包裹所述第二显示面板。
10.一种显示终端,其特征在于,包括:
设备本体,具有器件区;
如权利要求1~9任一所述的显示屏,覆盖在所述设备本体上;
其中,所述器件区位于所述第二显示面板下方,且所述器件区中设置有透过所述第二显示面板进行光线采集的感光器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的