[实用新型]一种微桥结构和微电子器件

说明书

本实用新型实施例提供一种微桥结构和微电子器件，该微桥结构包括读出电路基底，该读出电路基底上制作有第一引出电极；位于读出电路基底一侧且覆盖第一引出电极的第一钝化层；位于第一钝化层远离读出电路基底一侧的第二引出电极；位于第一钝化层远离读出电路基底一侧的第二钝化层，该第二钝化层覆盖第二引出电极的部分区域；位于第二引出电极远离第一钝化层一侧的桥墩结构，该桥墩结构与第二引出电极接触；其中，第一钝化层上开设有贯穿该第一钝化层两侧的第一通孔，第一通孔中填充有用于第一引出电极与第二引出电极连接的第一连接电极，本实用新型能够有效降低微桥结构的工艺难度，确保器件良率。

技术领域

本实用新型涉及微电子技术领域，具体而言，涉及一种微桥结构和微电子器件。

背景技术

红外探测器(Infrared Detector)是将入射的红外辐射信号转变成电信号输出的器件，其在军事、工业、交通、安防监控、气象、医学等各行业具有广泛的应用。目前，如图1所示，现有的非制冷焦平面红外探测器由IC(集成电路，Integrated Circuit)和MEMS(微机电系统，Micro Electro Mechanical System)两部分组成，其中，IC为红外电信号处理电路，MEMS部分为感应红外的器件，该MEMS部分基本包括桥墩部分和桥面部分，桥墩部分用于实现电信号连接和支撑作用，桥面部分为用于红外信号感应。如图2所示，桥墩工艺一般是ICwafer(晶圆片)的最后一层金属，需要基于钝化层(Passivation)进行制备，但由于所有的MEMS器件需要制作在比较平整的平面上，因此在做Passivation的过程中需要引入CMP(化学机械研磨，Chemical Mechanical Polishing)工艺磨平，但这样会使得整个Passivation的厚度达到1～2um级别(D₁)，进而导致在做后续的MEMS桥墩的牺牲层工艺时整个台阶差非常大(D₂)，对光刻的涂胶以及曝光增加难度，降低了器件良率。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种微桥结构和微电子器件，能够有效解决上述问题。

一方面，本实用新型较佳实施例提供一种微桥结构，包括：

读出电路基底，该读出电路基底上制作有用于读出电路引出的第一引出电极；

位于所述读出电路基底一侧且覆盖所述第一引出电极的第一钝化层；

位于所述第一钝化层远离所述读出电路基底一侧的第二引出电极；

位于所述第一钝化层远离所述读出电路基底一侧的第二钝化层，该第二钝化层覆盖所述第二引出电极的部分区域；

位于所述第二引出电极远离所述第一钝化层一侧的桥墩结构，该桥墩结构与所述第二引出电极接触；

其中，所述第一钝化层上开设有贯穿该第一钝化层两侧的第一通孔，所述第一通孔中填充有用于所述第一引出电极与所述第二引出电极连接的第一连接电极。

在本实用新型较佳实施例的选择中，所述桥墩结构包括：

位于所述第二引出电极远离所述第二钝化层一侧的第一支撑结构，该第一支撑结构上开设有第二通孔；

位于所述第一支撑结构中的第二连接电极，该第二连接电极通过所述第二通孔与所述第二引出电极接触；

位于所述第二连接电极远离所述第一支撑结构一侧的第一保护层。

在本实用新型较佳实施例的选择中，所述第一支撑结构包括U型结构。

在本实用新型较佳实施例的选择中，所述第一钝化层包括位于所述读出电路基底一侧且覆盖所述第一引出电极的氧化硅材料层；以及位于所述氧化硅材料层远离所述读出电路基底一侧的氮化硅材料层。