[实用新型]VAD制备光纤预制棒的装置

说明书

本实用新型公开了一种VAD制备光纤预制棒的装置，包括沉积室，沉积室内设有：用于安装光纤预制棒的安装区；芯层喷灯，其设于安装区的底部；包层喷灯组件，其设于光纤预制棒的一侧，包层喷灯组件包括：竖直移动平台，竖直移动平台一侧的长度上设有与待沉积的光纤预制棒的包层所在区域相应设置的限位区；至少两个包层喷灯，包层喷灯设于限位区内；控制器，其用于控制驱动装置驱动包层喷灯在限位区内沿竖直移动平台上下移动。包层的沉积速度不受芯层沉积速度的影响，大大提高了整体生产效率。

技术领域

本实用新型涉及光纤预制棒生产领域，具体涉及一种VAD制备光纤预制棒的装置。

背景技术

目前公知的光纤预制棒的制造工艺，典型的有管内法气相沉积工艺，如MCVD(modified chemical vapor deposition，改进化学气相沉积工艺)和PCVD(plasmachemical vapor deposition，等离子体激发化学气相沉积法)；以及管外法气相沉积工艺，如OVD(outside vapor deposition，外部气相沉积工艺)和VAD(vapor axial deposition，外部轴向沉积工艺)。

管内法气相沉积工艺，如PCVD工艺，采用SiCl4，GeCl4，O2等化学原料，通入高纯石英衬管内，利于微波源提供能量，激发等离子，发生化学反应，生成SiO2、GeO2等，沉积于管壁，后经过熔缩，得到实心芯棒，该工艺使用高纯硅锗料，高纯石英管材，原料成本较高；而且沉积速率受到管径的限制，很难得到有效提高，不利于产能的提高。

相比之下，管外沉积法，如VAD工艺，采用火焰氢化反应，生产SiO2、GeO2粉末，在预定的靶棒上进行沉积。在稳定可控的腔体气流条件下，通过控制火焰喷灯的位置，调整各反应气体用量，可沉积得到外径均匀的光纤预制棒粉棒。粉棒经过烧结，可得到大尺寸光纤预制棒。在沉积的过程中，通过控制通入GeCl4的用量，可调整折射率分布，拉丝后可得到各种不同用途的光纤。

但是由于VAD是将预定的靶棒放入沉积室内进行沉积，首先沉积芯层，再沉积包层，采用竖向沉积的方式，最下方固定喷灯沉积芯层，上方固定喷灯沉积包层，导致芯层沉积速度比包层沉积速度慢，降低整体生产效率。

实用新型内容

针对现有技术中存在的缺陷，本实用新型的目的在于提供一种VAD制备光纤预制棒的装置，沉积包层的速度不会受到沉积芯层的速度的影响，大大提高了整体生产效率。

为达到以上目的，本实用新型采取的技术方案是：

一种VAD制备光纤预制棒的装置，包括沉积室，所述沉积室内设有：

用于安装光纤预制棒的安装区；

芯层喷灯，其设于所述安装区的底部；

包层喷灯组件，其设于所述光纤预制棒的一侧，所述包层喷灯组件包括：

竖直移动平台，所述竖直移动平台一侧的长度上设有与待沉积的光纤预制棒的包层所在区域相应设置的限位区；

至少两个包层喷灯，所述包层喷灯设于所述限位区内；

控制器，其用于控制驱动装置驱动所述包层喷灯在限位区内沿所述竖直移动平台上下移动。

在上述技术方案的基础上，所述限位区的下限位于所述光纤预制棒的芯层与包层预设的相交处。

在上述技术方案的基础上，所述限位区的上限位和下限位处分别设置有限位开关。

在上述技术方案的基础上，所述芯层喷灯向上倾斜延伸至光纤预制棒的芯层。

在上述技术方案的基础上，至少两个所述包层喷灯在限位区内沿所述竖直移动平台同步上下移动。

在上述技术方案的基础上，所述竖直移动平台与所述光纤预制棒并列设置。