[实用新型]晶圆堆叠结构与芯片堆叠结构有效
申请号: | 201821796498.7 | 申请日: | 2018-11-01 |
公开(公告)号: | CN209119095U | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/48;H01L21/98 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 重布线层 晶圆堆叠 芯片堆叠结构 硅通孔 焊盘 堆叠结构 堆叠芯片 位置互换 直接键合 良品率 键合 种晶 制作 制造 | ||
1.一种晶圆堆叠结构,其特征在于,包括:
第一晶圆,上表面包括设置为连接第一信号的第一焊盘和连接第二信号的第二焊盘;
第一下重布线层,位于所述第一晶圆之上,包括电连接于所述第一焊盘的第一布线和电连接于所述第二焊盘的第二布线;
第一上重布线层,位于所述第一下重布线层之上,包括电连接于所述第一布线的第三布线和电连接于所述第二布线的第四布线,所述第三布线包括在水平方向上相对靠近所述第二焊盘的第一引线垫,所述第四布线包括在水平方向上相对靠近所述第一焊盘的第二引线垫;
第二晶圆,底面贴合于所述第一上重布线层,设置有位置对应于所述第二焊盘且设置为连接所述第一信号的第三焊盘、位置对应于所述第一焊盘且设置为连接所述第二信号的第四焊盘、底部电连接于所述第一引线垫的第一硅通孔、底部电连接于所述第二引线垫的第二硅通孔。
2.如权利要求1所述的晶圆堆叠结构,其特征在于,还包括:
第二下重布线层,位于所述第二晶圆之上,包括电连接于所述第一硅通孔和所述第三焊盘的第五布线、电连接于所述第二硅通孔和所述第四焊盘的第六布线;
第二上重布线层,位于所述第二下重布线层之上,包括电连接于所述第五布线的第七布线和电连接于所述第六布线的第八布线,所述第七布线包括在水平方向上相对靠近所述第四焊盘的第三引线垫,所述第八布线包括在水平方向上相对靠近所述第三焊盘的第四引线垫。
3.如权利要求2所述的晶圆堆叠结构,其特征在于,还包括:
第三晶圆,底面贴合于所述第二上重布线层,设置有位置对应于所述第一焊盘且设置为连接所述第一信号的第五焊盘、位置对应于所述第二焊盘且设置为连接所述第二信号的第六焊盘、底部电连接于所述第三引线垫的第三硅通孔、底部电连接于所述第四引线垫的第四硅通孔;
第三下重布线层,位于所述第三晶圆之上,包括电连接于所述第三硅通孔和所述第五焊盘的第九布线、电连接于所述第四硅通孔和所述第六焊盘的第十布线;
第三上重布线层,位于所述第三下重布线层之上,包括电连接于所述第九布线的第十一布线和电连接于所述第十布线的第十二布线,所述第十一布线包括在水平方向上相对靠近所述第六焊盘的第五引线垫,所述第十二布线包括在水平方向上相对靠近所述第五焊盘的第六引线垫。
4.如权利要求1~3任一项所述的晶圆堆叠结构,所述第一硅通孔和所述第二硅通孔制作于所述第二晶圆和所述第一上重布线层键合之后。
5.一种芯片堆叠结构,其特征在于,包括:
第一芯片,上表面包括设置为连接第一信号的第一焊盘和连接第二信号的第二焊盘;
第一下重布线层,位于所述第一芯片之上,包括电连接于所述第一焊盘的第一布线和电连接于所述第二焊盘的第二布线;
第一上重布线层,位于所述第一下重布线层之上,包括电连接于所述第一布线的第三布线和电连接于所述第二布线的第四布线,所述第三布线包括在水平方向上相对靠近所述第二焊盘的第一引线垫,所述第四布线包括在水平方向上相对靠近所述第一焊盘的第二引线垫;
第二芯片,底面贴合于所述第一上重布线层,设置有位置对应于所述第二焊盘且设置为连接所述第一信号的第三焊盘、位置对应于所述第一焊盘且设置为连接所述第二信号的第四焊盘、底部电连接于所述第一引线垫的第一硅通孔、底部电连接于所述第二引线垫的第二硅通孔。
6.如权利要求5所述的芯片堆叠结构,其特征在于,还包括:
第二下重布线层,位于所述第二芯片之上,包括电连接于所述第一硅通孔和所述第三焊盘的第五布线、电连接于所述第二硅通孔和所述第四焊盘的第六布线;
第二上重布线层,位于所述第二下重布线层之上,包括电连接于所述第五布线的第七布线和电连接于所述第六布线的第八布线,所述第七布线包括在水平方向上相对靠近所述第四焊盘的第三引线垫,所述第八布线包括在水平方向上相对靠近所述第三焊盘的第四引线垫。
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